Студопедия

КАТЕГОРИИ:

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника



Эффект паразитного биполярного транзистора

Читайте также:
  1. III. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЭФФЕКТИВНОСТИ ПРОИЗВОДСТВА
  2. VI. Педагогические технологии на основе эффективности управления и организации учебного процесса
  3. VII этап. Формирование эффективных условий привлечения кредитов
  4. Автотрансформаторы, схемы включения обмоток, энергетическая эффективность.
  5. Анализ безубыточности при оценке эффективности инвестиционных проектов
  6. Анализ динамического режима работы биполярного транзистора по схеме включения с общим эмиттером
  7. Анализ и оценка обобщающих и частных показателей эффективности торговой деятельности
  8. Анализ и оценка эффективности управления. Критерии и показатели эффективности. Экономические критерии эффективности и затраты на управление.
  9. Анализ наилучшего и наиболее эффективного использования как этап процесса оценки.
  10. Анализ обобщающих показателей эффективности и деловой активности предприятия для оценки его устойчивого развития

В длинноканальных транзисторах при лавинном пробое сток-истока дырки, коллектируясь подложкой, приводят только к увеличению тока подложки Iп, то в короткоканальных приборах они являются также причиной уменьшения напряжения пробоя. Падение напряжения на сопротивлении подложки (рис.4.25) в силу того, что для изготовления МОП ИС обычно используются подложки с относительно высоким удельным сопротивлением, и в силу весьма малых их размеров даже при незначительных токах подложки может стать причиной механизма "включения" паразитного биполярного n-р-n (исток - подложка - сток) транзистора. Действительно, дрейфовая составляющая дырочного тока подложки может увеличить потенциал подложки, относительно вблизи расположенного истокового перехода Uпи (рис.4.25) настолько, что на истоке прибора создается режим прямого смещения. Если на р-n-переходе подложка - исток напряжение Uпи достигнет 0,6 В, то может начаться инжекция электронов из истока в подложку (рис.4.25, процесс 2).

 

Рисунок 4.25 – Схема, поясняющая механизм включения паразитного биполярного транзистора:1 - процесс лавинного умножения носителей в обедненном слое около стока; 2 - процесс инжекции электронов из истока в канал и подложку.

Развитие этого процесса приводит к электрическому пробою транзистора, начало которого определяется условием:

, (4.67)

где - коэффициент передачи эмиттера паразитного биполярного транзистора,М – коэффициент лавинного умножения.

 

Так как концентрация примеси в истоковой области на несколько порядков выше, чем в подложке, то коэффициент инжекции электронов близок к единице. Поэтому:

(4.68)

где - эффективная толщина базы, равная длине канала L,

- диффузионная длина свободных носителей в подложке.

 

Коэффициент лавинного умножения можно записать в виде

, (4.69)

где Uкэ.о- напряжение пробоя биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и разомкнутой базой; Ucи.пр- напряжение пробоя перехода сток - подложка, n = 3..4.

 

Из выражений (4.67)–(4.69) для результирующего напряжения пробоя короткоканального МОПТ:


Дата добавления: 2014-11-13; просмотров: 37; Нарушение авторских прав


<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Пороговое напряжение узкоканальных транзисторов | Сквозное обеднение канала
lektsii.com - Лекции.Ком - 2014-2017 год. (0.59 сек.) Главная страница Случайная страница Контакты