Студопедия

КАТЕГОРИИ:

АстрономияБиологияГеографияДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника


Выводы по Разделу 3.




На основании данных, приведенных в разделе, можно сделать вывод, что перспективными нелинейно-оптическими средами для ограничения излучения в спектральном интервале 2-5 мкм являются монокристаллические примесные полупроводники, интерферометры с пленкой диоксида ванадия и композитные среды с наночастицами галогенидов серебра (см. таблицу 1.).

 

Таблица 1. Параметры ограничителей для спектрального диапазона 2.0 -5.0 мкм.

Материал ограничителя и НЛО эффект Спектр. диап., мкм Имп. режим Длительн. имп. Быстро-действие, нс Динамич. диапазон Начальн. пропуск.*,% Порог ограничения **
Монокрист. полуроводн., самодефокусировка,1-фотонное примесное погл. 2-5 + нс, мкс <1 нс - 50-70 1 мДж
НЛО-интерферометры с пленкой VO2. 2-5 + нс, мкс <10 нс 100-1000 85-95 -
Стекла с ионами Eu3+, Tm3+, 2-фотонн. погл. 2-5 + пс <1 нс - 70-80 -
Композиты с нано- частицами полупров. и металлов, поглощение, рассеяние 2-5 + нс, мкс <1 нс 50-70 10 мДж/см2

* - для нелинейных интерферометров – пропускание либо отражение;

** - приведены наилучшие экспериментально полученные пороги ограничения.

 

Однако, данные материалы и ограничители на их основе еще недостаточно изучены и не оптимизированы с точки зрения получения эффективного ограничения.

 

Раздел 4. Ограничители излучения для спектрального диапазона 5-12 мкм (τ = 1 мкс – 100 мкс).

Глава 4.1. Ограничители излучения на основе двухфотонного поглощения в монокристаллических полупроводниках.

 

Для ограничения излучения в спектральном интервале 5-12 мкм может быть использовано двухфотонное поглощение в узкозонных монокристаллических полупроводниках. Коэффициенты двухфотонного поглощения узкозонных полупроводников на длине волны 10.6 мкм в 200 раз выше, чем у GaAs на длине волны 1.06 мкм (см. таблицу 1). Это позволяет получить эффективное ограничение излучения при интенсивности излучения 100-200 кВт/см2 даже для микросекундных лаерных импульсов.

Таблица 1. Коэффициенты двухфотонного поглощения узкозонных полупроводников [1, 2].

Материал Длина волны, мкм Коэффициент двухфотонного погл., см/ГВт
InSb 10.6
HgCdxTe1-x 10.6

 

Однако, при комнатной температуре узкозонные полупроводники имеют высокую концентрацию свободных носителей заряда. Это приводит к высокому линейному поглощению полупроводников и невозможности получения высокого начального коэффициента пропускания.

Литература к главе 4.1.:

1.A.K.Kar, J.G.H.Mathew, S.D.Smith et al Optical bistability in InSb at room temperature with two-photon excitation // Appl.Phys.Lett., 1983, 42, №4, P.334-336.

2.J.G.H. Mathew, D.Craig, A.Miller Optical switching in a CdHgTe etalon at room temperature // Appl.Phys.Lett., 1985, 46, №2, P.128-130.


 


Поделиться:

Дата добавления: 2015-04-15; просмотров: 63; Мы поможем в написании вашей работы!; Нарушение авторских прав





lektsii.com - Лекции.Ком - 2014-2024 год. (0.006 сек.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав
Главная страница Случайная страница Контакты