Студопедия

КАТЕГОРИИ:

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника



ЭФФЕКТ ФРАНЦА-КЕЛДЫША

Читайте также:
  1. ECR (Efficient Customer Response) - Эффективное взаимодействие с потребителем
  2. III Обоснование экономической эффективности
  3. III. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЭФФЕКТИВНОСТИ ПРОИЗВОДСТВА
  4. III. Первоочередные виды работ по энергосбережению и повышению энергетической эффективности
  5. IY этап. Оценка эффективности социальной реабилитации семьи
  6. VI. Педагогические технологии на основе эффективности управления и организации учебного процесса
  7. VII этап. Формирование эффективных условий привлечения кредитов
  8. Автотрансформаторы, схемы включения обмоток, энергетическая эффективность.
  9. Аддитивные модели эффективности
  10. Анализ безубыточности при оценке эффективности инвестиционных проектов

Из теории поглощения света полупроводниками известно, что если при поглощении полупроводником кванта излучения имеет место возбуждение электронов из валентной зоны в зону проводимости, то такое поглощение называется собственным или фундаментальным. Для возбуждения собственных переходов необходимо, чтобы энергия светового кванта была больше или равна ширины запрещённой зоны полупроводника:

. (2.6.1)


Если полупроводник поместить в электрическое поле, то согласно зонной теории полупроводника, произойдёт наклон энергетических зон полупроводника. В этом случае электрон валентной зоны может туннелировать через треугольный барьер (рис. 2.6.1а).

 

Высота этого барьера равна ширине запрещённой зоны Eg, а его толщина d характеризуется выражением:

, (2.6.1)

где - величина напряжённости электрического поля. Как видно, с увеличением величины электрического поля толщина барьера уменьшается, а, следовательно, исходя из формулы (1.12), где d=l, увеличивается вероятность туннелирования.

В присутствии электрического поля участие фотона с энергией , как видно из рис. 2.6.1б, эквивалентно уменьшению толщины барьера до величины:

(2.6.2)

и туннельный переход становится ещё более вероятным. Уменьшение толщины барьера равносильно уменьшению ширины запрещённой зоны в сильном электрическом поле. Эффект туннелирования в присутствии электрического поля, сопровождаемый поглощением фотона, называется эффектом Франца Келдыша. В собственном полупроводнике он проявляется как сдвиг края полосы собственного поглощения в сторону меньших энергий. На рис. 2.6.2 показано изменение края полосы поглощения для GaAs при разной напряжённости поля.

 
 



Дата добавления: 2015-04-16; просмотров: 62; Нарушение авторских прав


<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
ЭФФЕКТЫ ДЖОЗЕФСОНА | ТУННЕЛЬНЫЙ ДИОД
lektsii.com - Лекции.Ком - 2014-2017 год. (0.02 сек.) Главная страница Случайная страница Контакты