Схемы включения с ОБ, ОЭ, ОК , их сравнительный анализ

В зависимости от того, какой электрод транзистора является общим для входного и выходного сигналов, различают три схемы включения транзистора (рис.1): с общей базой (ОБ); с общим эмит­тером (ОЭ); с общим коллектором (ОК).

Рис.1

В этих схемах источники постоянного напряжения и резисторы обеспечивают режимы работы транзисторов по постоянному току, т. е. необходимые значения напряжений и начальных токов. Входные сигналы переменного тока создаются источниками u_вх. Они изменяют ток эмиттера транзистора, а соответственно и ток коллектора. Приращения тока коллектора (рис.1, а, б) и тока эмиттера (рис.1, в) соответственно на резисторах R_к и R_э создадут приращения напряжений, которые и являются выходны­ми сигналами U_вых. Параметры схем обычно выбирают так, чтобы U_вых, было бы во много раз большое вызвавшего его приращения U_вх (рис.1, а, б) или близко к нему (рис.1, в).

Вид выходных (а) и входных (б) вольт-амперных характеристик транзистора зависит от схемы включения его в цепь. Так, для схемы включения с ОБ статические характеристики имеют вид, показанный на рис. 2, для схемы с ОЭ — на рис. 3. На рис. 2а видны две области: активный режим (U_KБ<0), и коллекторный переход смещен

Рис.2

в обратном направ­лении; режим насыщения (U_KБ>0), и коллекторный переход смещен в прямом направлении.

В цепях, где транзистор включен по схеме с ОЭ или ОК, удобно пользоваться не коэффициентом передачи эмиттерного тока α, а коэффициентом передачи базового тока β. Это обусловлено тем, что в подобных случаях обычно задается изменение тока базы. Связь между α и β находим из уравнений I_к = α_NI_Э + I_КБО + U_КБ / r_{к диф} и I_Э = I_Б + I_К. Получим I_к = βI_Б + I_КЭО + U_КЭ / r_{к диф}.

Рис.3