Рекомендуемый порядок расчета насыщенного ключа.

1. Рассчитываем ток коллектора насыщения

.

Проверяем выполнение условия .

2. Определяем сопротивление резистора в цепи смещения

.

Напряжение источника смещения обычно выбирают из условия

.

,

где - температура удвоения ( для германия и для кремния).

Табл. 2

Параметры	КТ361А	КТ361В	КТ357Б	КТ357В	КТ3107А	КТ3107Б	КТ3107Д
Максимальный ток
коллектора
Максимальное на-
пряжение между кол-
лектором и эмитте-
ром
Максимальная мощ-
ность, рассеиваемая
на коллекторе
Статический коэф-
фициент передачи	20..	40..	60..	20..	70..	120..	180..
тока в схеме с ОЭ,	..90	..160	...300	..100	...140	..220	..460
Напряжение насыщения	0,3	0,3	0,3	0,3	0,5	0,5	0,5
Максимальная тем-
пература окружаю-
щей среды t, °C
Обратный ток кол-
лектора при t=25°C					0,1	0,1	0,I
Граничная частота усиления тока
Емкость коллектора
Емкость эмиттера

3. Выбрав стандартное сопротивление резистора смещения, вычисляем ток смещения .

4. Находим ток базы насыщения транзистора

.

5. Задавшись коэффициентом насыщения , определяем реальный ток базы транзистора

.

6. Вычисляем сопротивление резистора в цепи базы транзистора

,

где - амплитуда входного управляющего импульса (практически чаще всего ),

- внутреннее сопротивление источника сигнала.

7. Рассчитываем длительность положительного фронта выходного сигнала

,

где .

8. Вычисляем длительность отрицательного фронта

.

9. Определяем время рассасывания избыточных носителей заряда в базе транзистора

,

где - постоянная времени в режиме насыщения.

10. Если окажется, что расчетные значения длительностей фронтов и времени рассасывания превышают требуемые можно применить ключ с ускоряющей емкостью. При этом порядок расчета по п1÷п6 сохраняется а далее определяем величину ускоряющей емкости

.

Определяем длительности фронтов импульсов

,

где .

ЛИТЕРАТУРА

1. В.Ф. Коновалов. Электротехника и электроника (ч. 2). Учебное пособие. Томск, ТУСУР, кафедра ТУ, 2006.

2. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники: Учебное пособие для вузов. – 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Лаборатория Базовых Знаний, 2001.- 488 с.