КАТЕГОРИИ:
АстрономияБиологияГеографияДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника
Структура дисциплины. Общая трудоемкость дисциплины составляет 5 зачетных единиц (180 часов) Вид работы Трудоемкость
Общая трудоемкость дисциплины составляет 5 зачетных единиц (180 часов)
| Вид работы | Трудоемкость, часов | |
| 4 семестр | Всего | |
| Общая трудоемкость | ||
| Аудиторная работа: | ||
| Лекции (Л) | ||
| Практические занятия (ПЗ) | ||
| Лабораторные работы (ЛР) | ||
| Самостоятельная работа: | ||
| Курсовой проект (КП), курсовая работа (КР)[1] | - | - |
| Расчетно-графическое задание (РГЗ) | ||
| Реферат (Р) | ||
| Эссе (Э) | - | - |
| Самостоятельное изучение разделов | ||
| Контрольная работа (К)[2] | ||
| Самоподготовка (проработка и повторение лекционного материала и материала учебников и учебных пособий, подготовка к лабораторным и практическим занятиям, коллоквиумам, рубежному контролю и т.д.), | ||
| Подготовка и сдача экзамена | ||
| Вид итогового контроля (зачет, экзамен) | экзамен |
Разделы дисциплины, изучаемые в 4-ом семестре
| № раз- дела | Наименование разделов | Количество часов | ||||||||
| Всего | Аудиторная работа | Вне- ауд. работа СР | ||||||||
| Л | ПЗ | ЛР | ||||||||
| Введение. Общие сведения об электронике | - | |||||||||
| Элементы физических основ полупроводниковых приборов, контактные явления | - | |||||||||
| Принципы функционирования, параметры и характеристики полупроводниковых приборов | ||||||||||
| Полупроводниковые излучатели и приемники, детекторы и датчики | ||||||||||
| Индикаторные приборы | ||||||||||
| Итого: | ||||||||||
Лабораторные работы
| № ЛР | № раз-дела | Наименование лабораторных работ | Кол-во часов |
| 1.Построение и исследование вольтамперной характеристики (ВАХ) для полупроводникового диода 2.Расчет рабочей точки на прямой ветви ВАХ диода | |||
| 1.Построение обратной ветви вольтамперной характеристики стабилитрона и определение основных параметров 2. Расчет рабочей точки на обратной ветви ВАХ стабилитрона | |||
| 1.Анализ процессов в схемах однополупериодного и двухполупериодного выпрямителей, диодного моста и выходного фильтра 2.Расчет мостовой схемы выпрямителя (трансформатор, мост, фильтр, стабилизатор) | |||
| 4,5 | 1.Исследование биполярного транзистора. Получение входных и выходных ВАХ транзистора. 2.Расчет рабочей точки и параметров простого однокаскадного усилителя на биполярном транзисторе с емкостными связями в режиме малого сигнала | ||
| 6,7 | 1.Исследование полевых транзисторов ( с p-n переходом и МОП). Получение проходных и выходных характеристик транзистора. 2.Расчет рабочей точки и параметров простого однокаскадного усилителя на полевом транзисторе с емкостными связями в режиме малого сигнала. | ||
| 8,9 | 1.Исследование тиристора. Получение характеристик S-образных ВАХ тиристора 2.Расчет рабочих точек и параметров цепей управления тиристорного ключа. | ||
| ИТОГО: |
Дата добавления: 2015-04-16; просмотров: 58; Мы поможем в написании вашей работы!; Нарушение авторских прав |