Примесная электропроводность полупроводников

Акцепторный полупроводник

Дырочный полупроводник, или полупроводник p – типа

получается за счёт введения в него трёхвалентных атомов примеси (например, индий). Атомы трёхвалентной примеси принято называть акцепторами.

Акцептор образует только три заполненные валентные связи. Четвёртая связь оказывается незаполненной и она не несёт заряда, т.е. атом примеси является электрически нейтральным. При воздействии даже небольшой тепловой энергии электрон кремния может перейти в эту связь. На внешней оболочке акцептора появляется лишний электрон, т.е. он превращается в отрицательный ион.

Вакантная связь атома кремния несёт собой уже положительный заряд, являясь дыркой. Электропроводность дырочного полупроводника определяется дырками, которые являются здесь неосновными носителями заряда и их очень мало.

Итак, за счёт введения и активации акцепторной примеси образуется дырочный полупроводник, электропроводность которого определяется дырками.