Студопедия

КАТЕГОРИИ:

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника



Пример решения задачи № 3

Читайте также:
  1. C2 Покажите на трех примерах наличие многопартийной политической системы в современной России.
  2. C2 Раскройте на трех примерах научный вывод о том, что социальные условия влияют на характер и форму удовлетворения первичных (биологических, витальных) потребностей.
  3. Gt; во-вторых, когнитивной оценкой (cognitive appraisal), которую человек дает событию, требующему разрешения.
  4. I. Задачи настоящей работы
  5. I. Цели и задачи проекта
  6. II. Основные цели и задачи Программы, срок и этапы ее реализации, целевые индикаторы и показатели
  7. II. Примеры проективных методик
  8. II. Упражнения и задачи
  9. II. Упражнения и задачи
  10. II. Упражнения и задачи

На рис. 5 представлена принципиальная электрическая схема однокаскадного полупроводникового усилителя напряжения, реализованная на биполярном транзисторе, КТ503Г типа n-p-n обратной проводимости, включённого по схеме с ОЭ.

Рассчитать все элементы схемы для максимального усиления выходного переменного напряжения и максимально возможной колебательной выходной мощности, а также коэффициенты усиления по напряжению, току и мощности, потребляемую мощность в режиме покоя (отсутствия входного переменного сигнала) и кпд усилителя.

Исследовать изменение указанных выше усилительных свойств усилителя при изменении коллекторного сопротивления.

Для исследования усилительных свойств данного БТ требуются входные и выходные статические характеристики именно данного биполярного транзистора КТ503Г типа n-p-n, которые можно получить в лабораторных условиях, либо воспользоваться изданными справочниками на биполярные транзисторы с обязательным наличием входных и выходных статических характеристик и многочисленных параметров на транзисторы. Подготовка к исследованиям начинается с расчёта режима транзистора по постоянному току с использованием статических характеристик для задания смещения и расчёта сопротивлений по (рис. 4) и построения в их семействах динамических характеристик для исследования усилительных свойств БТ с ОЭ по рис. 5.

Экспериментальные данные биполярного транзистора КТ503Г типа n-p-n , полученные в лабораторных условиях в статическом режиме БТ по схеме на рис. 1 приведены в табл. 1 и табл. 2. В соответствии с табличными данными на рис. 2 построены соответственно входные и выходные статические характеристики (далее излагается построение здесь же динамических характеристик).

Рис. 1 Схема для снятия статических характеристик БТ

Таблица 1

Iб,мкА  
UK=0 В Uб 0.49 0.51 0.53 0.54 0.55 0.55 0.58 0.59 0.6 0.61 0.62
UK=5 В 0.58 0.6 0.62 0.63 0.64 0.65 0.66 0.68 0.69 0.7 0.71

Таблица 2

UК   0.5
Iб,=5 мкА IК,мА 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0,1
Iб,=50мкА 4.1 4.2 4.2 4.3 4.3 4.3 4.3 4.3  
Iб,=100мкА 9.2 9.3 9.4 9.6 9.7 9.7 9.7    
Iб,=150мкА 14.7 14.9 15.2 15.5 15.6 15.6      
Iб,=200мкА 20.6 21.2 21.2        
Iб=250мкА 25.1 26.4 27.1 27.6          
Iб,=300мкА 2.2 29.3 30.8            



Рис. 2


Дата добавления: 2015-01-01; просмотров: 12; Нарушение авторских прав


<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Решение. 1.Определение фазных напряжений. | Расчёт режима БТ по постоянному току
lektsii.com - Лекции.Ком - 2014-2018 год. (0.009 сек.) Главная страница Случайная страница Контакты