Студопедия

КАТЕГОРИИ:

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника



Электронно- дырочный переход.

Читайте также:
  1. БЕЗОПАСНОСТЬ РАБОТЫ НА ПЕРСОНАЛЬНЫХ ЭЛЕКТРОННО-ВЫЧИСЛИТЕЛЬНЫХ МАШИНАХ
  2. Возможности распознавания подделки документов с использованием современных средств электронно-вычислительной и множительной техники
  3. Гигиенические требования к видеодисплейным терминалам (ВДТ), персональным электронно-вычислительным машинам (ПЭВМ) и организации работы
  4. ГЛАВА 1. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД.
  5. Дисперсия электронно-магнитных волн. Понятие групп и фаз
  6. Образование электронно-дырочного (р-n) перехода
  7. Составление уравнений окислительно-восстановительных реакций электронно-ионным методом, или методом полуреакций
  8. Электронно дырочный переход при нарушении равновесия
  9. Электронно-лучевые установки

Электронно-дырочный переход (сокращенно n—p-переход) является основным элементом большинства полупроводниковых приборов. Он образуется в полупроводниковом кристалле, в котором имеется контакт между областью с электронной проводимостью и областью с дырочной проводимостью. Электронно-дырочный переход и образуется на границе этих областей.

Существует несколько способов изготовления полупроводниковых кристаллов с электронно-дырочным переходом.

Рассмотрим явления, происходящие в кристалле с p—n-переходом (рис. 27.2,а,б).

Рис. 27.2. В отсутствие электрического поля свободные электроны и дырки хаотично движутся по кристаллу. В результате такого движения свободные электроны могут сами по себе перейти через p—n-переход в дырочную область, а дырки — в электронную. Посмотрим, что при этом произойдет. Электроны, переходя из области n в область p, уносят с собой свой отрицательный заряд из области п. Следовательно, в кристалле область n после ухода электронов зарядится положительно, а область p — наоборот, зарядится отрицательно, так как электроны принесут ей свой отрицательный заряд. Не остаются в долгу и дырки. Диффундируя в электронную область, они несут ей свой положительный заряд, а в дырочной области в результате их ухода возрастает отрицательный заряд. Таким образом, в результате диффузии электронов в дырочную область и дырок в электронную пограничная область кристалла электризуется.

На границе между областями возникает электрическое поле, получившее название поля электронно-дырочного перехода, которое начинает противодействовать дальнейшей диффузии зарядов, т. е. дырок и свободных электронов. Такое поле часто называют запирающим полем.

Опыты свидетельствуют о том, что полупроводниковый кристалл с р—n-переходом обладает односторонней проводимостью.

 


Дата добавления: 2015-01-19; просмотров: 20; Нарушение авторских прав


<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Основы электронной теории. | Специальные диоды.
lektsii.com - Лекции.Ком - 2014-2018 год. (0.007 сек.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав
Главная страница Случайная страница Контакты