Студопедия

КАТЕГОРИИ:

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника



Влияние ионно-матричных эффектов на разрешение по глубине при измерении профилей концентрации

Читайте также:
  1. I. Изучение зависимости скорости реакции разложения перекиси водорода от концентрации катализатора.
  2. I. Стадия концентрации
  3. I.СТРУКТУРА ЛИЧНОСТИ. ВЛИЯНИЕ ОСОБЕННОСТЕЙ ВОЕННОЙ СЛУЖБЫ НА ЛИЧНОСТЬ.
  4. II. Влияние начальной концентрации Н2О2 на период полупревращения. Определение порядка реакции.
  5. Pегулирование внешних эффектов
  6. x, Δy и Δz - абсолютные ошибки в измерении величины x, y и z
  7. Административные преобразования в начале XIX в России и их влияние на развитие капитализма. Александр I. Реформы М.М. Сперанского и их последствия.
  8. Адсорбция зависит от концентрации компонентов и температуры.
  9. Анализ ассортимента и структуры услуг. Большое влияние на результаты хозяйственной деятельности оказывают ассортимент и структура реализации услуг.
  10. Анализ внешней среды и ее влияние на разработку управленческого решения. Свойства внешней среды.

 

Ряд эффектов, вызывающих ошибки при измерении профилей концентрации, связан с характеристиками каскада столкновений, создаваемого в твердом теле первичным ионом. Два таких эффекта - влияние средней глубины выхода вторичных ионов и перемешивание атомов в поверхностном слое. В большинстве случаев распределение анализируемых частиц простирается на глубину свыше 100 А. В этих условиях атомные перемещения в приповерхностном слое, внедрение атомов отдачи и иные связанные с матрицей эффекты вносят в искажение профилей концентрации значительно больший вклад, чем глубина выхода вторичных частиц.

Основными параметрами, определяющими относительные пробеги частиц в данной пленке, являются энергия первичных ионов, атомный номер Z и масса А бомбардирующих частиц и атомов мишени. Таким образом, измеряемый профиль концентрации должен зависеть от Z и А первичных ионов так же, как от их энергии. Еще один параметр, влияющий на его форму, - угол падения, т. е. угол между первичным ионным пучком и поверхностью мишени (обычно этот угол отсчитывают от нормали к поверхности). Увеличение угла падения приводит к уменьшению средней глубины проникновения частиц относительно поверхности образца и, следовательно, эквивалентно уменьшению энергии первичных ионов.

Кроме того, уширение или уменьшение крутизны, профиля концентрации может происходить из-за диффузии элементов, вызываемой или усиливаемой радиационными повреждениями в твердом теле, локальным повышением температуры в облучаемой области и сильным электрическим полем, возникающим в результате зарядки поверхности первичным пучком. В общем случае роль всех этик факторов предсказать трудно. Что же касается напряженности поля, то в пленке толщиной 1000 А при зарядке поверхности до 10 В она может достигать 106 В/см.

Одной однородности плотности первичного ионного тока по поверхности недостаточно для того, чтобы травление образца протекало равномерно. Скорость травления определяется топографией поверхности, чистотой и однородностью образца, что в свою очередь зависит от его состава, физического состояния и кристаллографической ориентации. Как правило, при контролируемых условиях работы установки и состояния образца уширение профиля, связанное с процессом ионного травления, не превышает 10% исследуемой глубины.



Внедренные первичные ионы и вызванные ими повреждения решетки мишени могут повлиять на форму профиля концентрации, оказав влияние на коэффициент распыления и вероятность ионизации распыленных частиц. Но если ионное травление осуществляется частицами с энергией 100 эВ/ат. ед. массы, то изменения матрицы вследствие внедрения ионов ограничены поверхностным слоем толщиной 100 А. За его пределами концентрация внедренных ионов остается постоянной и сохраняется стабильное состояние матрицы.


Дата добавления: 2015-07-26; просмотров: 4; Нарушение авторских прав


<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Приборные факторы, влияющие на разрешение по глубине при измерении профилей концентрации | Распределение частиц по поверхности, микроанализ и объемный анализ
lektsii.com - Лекции.Ком - 2014-2018 год. (0.009 сек.) Главная страница Случайная страница Контакты