Методика розрахунку. 3.1 Напругу джерел живлення вибираємо з умови:

3.1 Напругу джерел живлення вибираємо з умови:

Е_к1 = Е_к2 U_{ке_max}/ 2. (3.1)

Зазвичай вибирають Е_к > 5В, оскільки менші його значення затрудняють будову ГСТ.

3.2 Вибираємо режим спокою транзисторів за методикою, аналогічною завданню 1, з урахуванням особливостей даної схеми. При використанні двох джерел живлення Ек_1,2 у схемі ДП за рис. 3 потенціал емітерів VT1 і VT2 у режимі спокою можна вважати рівним нулю. Це пов'язано з тим, що спад напруги в ланцюгах баз транзисторів VT1 і VT2

U_б = I_бс ∙ R_г

дуже мало при малих вхідних точках і, отже, база транзистора може вважатися заземленою по постійному струму. Тоді потенціал емітера відрізняється від потенціалу землі на U_бес = 0,5...0,7 В для кремнієвих транзисторів і 0,3...0,4 В – для германієвих. Тому в першому наближенні можна вважати, що напруга нижнього джерела (- Ек₂) прикладена до ГСТ, а верхнього (+ Ек₁) – до транзисторів VT1(VT2) і резистора Rк.

3.3 Вибравши U_кес; I_кс; U_бес, визначимо номінал резисторів R_к1 = R_к2 = R_к:

R_к = (Е_к1 – U_кес)/ I_кс. (3.2)

3.4Струм спокою бази:

I_бс = I_кс / h_21е. (3.3)

3.5Для збільшення R_вх і вирівнювання струмів транзисторів VT1 і VT2 введемо резистори R'_е, що вносять місцевий ВЗЗ за струмом транзисторів. Зазвичай R'_е вибирають порядка декілька десятків Ом. Тоді:

R_вх.д = . (3.4)

Необхідно за умовою забезпечити R_вх.д 5 кОм.

3.6 Для зменшення струмової складової похибки ДП до базового ланцюга транзистора VT₂ включають резистор R_б = R_г. Перевіримо, чи забезпечує ДП необхідне значення К_uд для несиметричного входу і R_н = ∞:

К_uд = , (3.5)

де R_{вх_пл} — вхідний опірплеча:

, де = I_к / I_б.

За умовоюК_uд 20.

3.7 Розрахуємо ГСТ, для чого на початку визначимо потенціал колектора транзистора VT3 відносно загальної шини:

U_{к 3} = - (I_бс∙ R_г + U_бес+ I_кс1∙R¢_е/2). (3.6)

Отже, спад напруги на транзисторі VT3 і резисторі R3 складає:

DU₃ = |Ек₂| - |Uк₃|. (3.7)

3.8 При роботі ДП для нормального функціонування транзистора VT3 у ГСТ необхідне виконання нерівностей:

U_{кб 3} >0 іU_{кб 3} U_{ке_нас}.

Вибравши U_кб3, визначимо потенціал бази VT3 відносно загальної шини:

Uб₃ = Uк₃ - Uкб₃. (3.8)

3.9 Спад напруги U на резисторі R4 і діоді VD:

U = |Е_{к 2}| – U_{б 3}, (3.9)

на резисторіR₃:

U _R3= U – U_бес3, (3.9, а)

де U_бес3= 0,5 – 0,7 В — для кремнієвоготранзистора;

U_бес3= 0,3 – 0,4 В — для германієвого транзистора;

I_кс3= I_кC1+ I_кс2.

3.10 Опіррезистора R₃:

R₃ = U_R3/ I_кс3. (3.10)

Потужність, що розсіюється цим резистором:

Р_R3= I²_кС3∙R₃.

3.11 Виберемо струм подільника R4, R5, який дорівнює колекторному струму транзистора VT3. Тоді

R₅ = (|Е_{к 2}| - U)/ I_кс3. (3.11)

3.12 Як діод VD доцільно вибрати транзистор, аналогічний VT1-VT3 у діодному включенні, що забезпечить добру температурну компенсацію зміни U_бе транзистора VT3 внаслідок однакових ТКН діода і транзистора.

3.13За рівнянням:

I_ес= I_кбо (ехр (D|U_еб|) –1) (3.12)

визначимо U_еб за відомим I_ес = I_{кс 3}. Тоді:

R₄ = (U - |U_еб|)/ I_кс3. (3.13)

Приймаємо стандартне значення і визначаємо потужність: Р_R4 = I_кс3² ∙ R₄.

3.14 Розрахуємо коефіцієнт підсилення синфазного сигналу при несиметричному виході:

К_{Uсф_нес.} =R_к/2R_вих3, (3.14)

де R_вих3= rк₃ ( 1+ h21е₃∙U¢б). (3.14, а)

Вхідні величини до формули (3.14, а) визначимо зі співвідношень:

rк₃ = rк₃ / h_21е,

U'_б = ,

R_4,5 = R_{4 ∙}R₅ / (R₄ +R₅),

rе₃= jт/ I_ес3.

Тоді коефіцієнт послаблення синфазного сигналу:

К_{ос_сф} = К_uд/ К_{u сф_нес}. (3.15)

3.15 Розрахуємо приведений дрейф ДП. Для найгіршого випадку, коли відхилення струмів і напруги підсумовуються:

е^вх_{др­­_ДУ}= , (3.16)

де b = - 0,005 1/град;

t = 40˚С.