Студопедия

КАТЕГОРИИ:

АстрономияБиологияГеографияДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника


Блок контроля освоения дисциплины




ТЕКУЩИЙ КОНТРОЛЬ

ТРЕНИРОВОЧНЫЕ ТЕСТЫ

 

Тест № 1

 

1.Какие элементы составляют КМОП-структуру?

А. МОП-транзисторы с p – каналом

Б. Полевой и биполярный транзисторы

В. p –МОП и n –МОП транзисторы

Г. n-МОП транзистор и тиристор.

 

2. Что является основным схемным элементом для униполярных полупроводниковых ИМС?

А Транзистор типа p-n-p

Б. Транзистор типа n+ -p-n

В. МДП-транзистор

Г. КМДП -транзистор.

 

3. У каких из перечисленных ниже интегральных схем, функциональные возможности шире?

А. Пленочных

Б. Полупроводниковых

В. Совмещенных

Г. Гибридных

 

4. К числу конструктивных элементов биполярного транзистора относится:

А. Исток В. База

Б. Затвор Г. Сток

 

5. Быстродействие запоминающих устройств определяется:

А. Информационной емкостью

Б. Разрядностью слова

В. Потребляемой мощностью

Г. Временем выборки, записи и считывания информации.

 

6. Что является непременным условием создания высокопроизводительных вычислительных комплексов на базе оптоэлектроники?

А. Острая направленность светового излучения

Б. Возможность двойной (временной и пространственной) модуляции светового потока

В. Высокая информационная емкость оптического канала

Г. Возможность преобразования электрической энергии в оптический сигнал.

 

7. Для создания оптоэлектронного устройства необходимо использовать:

А. Сверхпроводимость металлов и сплавов

Б. Оптические явления

В. Взаимодействие акустических волн с электромагнитными полями

Г. Магнитные явления

 

8. На каком из перечисленных ниже принципах основано действие светоизлучателя?

А. Увеличение фотопроводимости

Б. Инжекционной люминесценцией

В.Создания фото-ЭДС между p-n областями полупроводникового кристалла

Г. Уменьшение фотопроводимости.

9. Какая технология изготовления цифровых ИС обеспечивает их максимальное быстродействие?

А. ТТЛ В. n- МОП

Б. ТТЛШ Г. ЭСТЛ

 

10. Для создания криотронных устройств необходимо использовать:

А. Сверхпроводимость металлов и сплавов

Б. Оптические явления

В. Взаимодействие акустических волн с электромагнитными полями

Г. Магнитные явления

 

 

ИТОГОВЫЙ КОНТРОЛЬ

ВОПРОСЫ К ЗАЧЕТУ

 

1. Определите предмет и цели изучаемой дисциплины.

2. Охарактеризуйте основные научно-технические факторы, определяющие высокие темпы развития микроэлектроники.

3. Приведите классификацию основных направлений микроэлектроники и охарактеризуйте их.

4. Какие основные проблемы возникают у разработчиков РЭС при комплексной микроминиатюризации?

5. Назовите иерархию уровней функционально-конструктивной сложности РЭС.

6. Какие принципиальные отличия присущи аппаратуре бытовой электроники по сравнению со специальными РЭС?

7. Назовите основные проблемы, решаемые при проектировании РЭС СВЧ диапазона.

8. Какими преимуществами обладают коротковолновые диапазоны передачи сообщений?

9. В чем состоит преимущество дискретной формы передачи сообщений?

10. Какие радиотехнические системы обработки информации Вы знаете?

11. Каково современное состояние и перспективы развития бытовых электронных средств?

12. Приведите примеры использования РЭС в медицине.

13. Какие физические явления используются в функциональной микроэлектронике?

14. По каким признакам осуществляется классификация ЭРЭ?

15. Сформулируйте определения следующих понятий: микросхема, микросборка, полупроводниковая, гибридная и совмещенная интегральная схема.

16. Укажите области применения электровакуумных и газоразрядных приборов.

17. Каковы особенности построения цифровых и аналоговых ИС?

18. В чем состоит отличие между унифицированными и специализированными ИС?

19. Для каких целей используются аналого-цифровые и цифро-аналоговые преобразователи?

20. Дайте характеристику элементной базы устройств СВЧ.

21. Укажите основные области применения микропроцессорных комплектов БИС.

22. Назовите основные преимущества использования микропроцессоров по сравнению с устройствами с жесткой структурой.

23. Сформулируйте основные положения системного подхода при проектировании РЭС.

24. Сформулируйте принцип блочно-иерархического подхода к проектированию РЭС.

25. Перечислите особенности проектирования устройств аналогового и цифрового действия.

26. Как повлияла смена поколений элементной базы на схемотехнику, конструирование и технологию РЭС?

27. Как осуществляется учет требований эргономики и эстетики при проектировании бытовых РЭС?

28. Назовите цели и задачи, решаемые автоматизированными системами конструирования и технологической подготовки производства.

29. Как обеспечивается надежность РЭС при проектировании?

30. Назовите основные показатели качества РЭС.

31. Как осуществляется контроль качества РЭС на этапе производства?

32. Какими причинами объясняется вероятностный характер показателей надежности?

33. Дайте классификацию видов контроля качества РЭС.

34. Как классифицируются испытания РЭС по видам?

 

 

СОДЕРЖАНИЕ

 

1. Информация о дисциплине . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.1. Предисловие. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.2. Содержание дисциплины и виды учебной работы
2. Рабочие учебные материалы . . . . . . . . . . . . . . . .
2.1. Рабочая программа . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.2. Тематический план дисциплины . . . . . . . . . . . . . .
2.3. Структурно-логическая схема дисциплины . . . . .
2.4. Временной график изучения дисциплины . . . . . .
2.5. Практический блок . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.6. Рейтинговая система оценки знаний. . . . . . . . . . .
3. Информационные ресурсы дисциплины . . . . .
3.1. Библиографический список . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.2. Опорный конспект . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4. Блок контроля освоения дисциплины . . . . . . .
4.1. Текущий контроль . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.2. Итоговый контроль . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

 

 


Поделиться:

Дата добавления: 2015-09-13; просмотров: 69; Мы поможем в написании вашей работы!; Нарушение авторских прав





lektsii.com - Лекции.Ком - 2014-2024 год. (0.006 сек.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав
Главная страница Случайная страница Контакты