КАТЕГОРИИ:
АстрономияБиологияГеографияДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Транзистором биполярным называется1) полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими p-n переходами, усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда; 2) трехслойный полупроводниковый прибор с двумя выводами; 3) структура p-n-p-n; 4) структура n-p-n-p.
42. Бездрейфовые транзисторы – это 1) биполярные транзисторы с неравномерным распределением примесей в области базы; 2) биполярные транзисторы с равномерным распределением примесей в области базы и отсутствием электрического поля в области базы; 3) биполярные транзисторы с накоплением избыточного заряда в области эмиттера; 4) биполярные транзисторы с накоплением избыточного заряда в области коллектора.
43. Дрейфовый транзистор – это 1) биполярный транзистор с неравномерным распределением примесей в области базы, и наличием внутреннего электрического поля, способствующего ускоренному перемещению носителей от эмиттера к коллектору; 2) биполярный транзистор с неравномерным распределением примесей в области эмиттера; 3) биполярный транзистор с неравномерным распределением примесей в области коллектора.
44. Режим работы биполярного транзистора "насыщение" 1) режим, когда оба перехода закрыты; 2) режим, когда оба перехода открыты; 3) переход коллектор-база закрыт, переход эмиттер-база открыт.
45. Режим "отсечки" биполярного транзистора 1) режим, когда оба перехода закрыты; 2) режим, когда оба перехода открыты; 3) переход эмиттерный закрыт, а коллекторный – открыт.
46. Активный режим работы биполярного транзистора – это 1) режим, при котором закрыты оба перехода; 2) режим, при котором открыты оба перехода; 3) переход эмиттер-база открыт, а переход коллектор-база закрыт.
47. Ток через переход эмиттер-база p-n-p транзистора имеет две составляющие 1) ; 2) ; 3) .
48. Толщина базы биполярного транзистора W 1) ; 2) ; 3) ; 4) .
49. Инжекция носителей в биполярном транзисторе типа p-n-p, это 1) перемещение дырок из эмиттера в базу; 2) перемещение дырок из базы в эмиттер; 3) перемещение дырок из базы в коллектор.
50. Экстракция дырок в биполярном транзисторе типа p-n-p, это 1) перемещение дырок из базы в эмиттер; 2) перемещение дырок из базы в коллектор; 3) перемещение дырок из коллектора в базу.
51. При отсутствии инжекции в цепи коллектора ток равен 1) ; 2) ; 3) .
|