Параметры ИМС.

Параметры ИМС подразделяются на две группы – статические и динамические.

1] Статические параметры характеризуют работу ИМС при статических 0 или 1 на входе и вы-

ходе.

К статическим параметрам относятся:

1. Напряжение источника питания Uип.

2. Входные и выходные напряжения логического нуля и логической единицы: Uвх0, Uвх1,

Uвых0, Uвых1.

3. Входные и выходные токи логического нуля и логической единицы: Iвх0, Iвх1, Iвых0,

Iвых1.

4. Коэффициент разветвления показывает количество входов микросхем нагрузок, кото-

рые можно подключить к данной микросхеме без потери её работоспособности (харак-

теризует нагрузочную способность ИМС): Кр.

5. Коэффициент объединения по входу Коб показывает, количество входов микросхемы,

по которым реализуется выполняемая ею функция.

6. Напряжение статической помехи – это максимально допустимое статическое напряже-

ние на входе, при котором микросхема не теряет свой работоспособности. Характери-

зует помехоустойчивость ИМС. Обозначение: Uст.п.

7. Средняя потребляемая мощность от источника питания Pпот.ср.

1. Время переключения из логического нуля в логическую единицу t01 – это время, за ко-

торое напряжение на входе или выходе возрастает от 0,1 до 0,9 уровня логической еди-

ницы (смотрите рисунок 178).

2. Время переключения из логической единицы в логический ноль t10.

3. Время задержки распространения сигнала при переключении из нуля в единицу.

Обозначение: t01зад.

4. Время задержки распространения сигнала при переключении из логической единицы в

логический ноль. Обозначение: t10зад.

5. Среднее время задержки распространения сигнала, характеризует быстродействие

58)

Принцип действия.

Если хотя бы на один из входов будет подаваться сигнал логического нуля, соответствующий

эмиттерный переход транзистора VT1 будет открыт, и через него будет протекать ток от плю-

са источника питания (ИП), через резистор R1, база-эмиттер VT1, общий провод, минус источ-

ника питания. В цепи коллектора VT1, а следовательно, и в цепи базы VT2, ток будет отсут-

ствовать, транзистор VT2 будет находиться в режиме отсечки, на выходе будет высокий уро-

вень напряжения логической единицы. При подаче на оба входа логических единиц оба эмит-

терных перехода закрываются, и ток будет протекать по цепи от плюса ИП, через R1, база-

коллектор VT1 и на базу VT2. Транзистор VT2 перейдёт в режим насыщения и на выходе уста-

новится низкий уровень напряжения логического нуля.

Недостатком ТТЛ с простым инвертором является маленький коэффициент разветвления.

59)

Если хотя бы на одном из входов будет действовать логический ноль, соответствующий эмит-

терный переход будет открыт, и через него будет протекать ток по цепи от плюса ИП, через

R1, база-эмиттер VT1, общий провод, минус ИП. В цепи коллектора VT1, а следовательно, и в

цепи базы VT2 ток будет отсутствовать, VT2 будет находиться в режиме отсечки, ток через

транзистор VT2, а значит, ток базы VT4 будут близки к нулю. Транзистор VT4 также будет на-

ходиться в режиме отсечки, и на выходе будет высокий уровень напряжения логической еди-

ницы. При этом напряжение на коллекторе VT2 и на базе VT3, будет максимальным, и VT3

будет находиться в полностью открытом состоянии.

При подаче на оба входа логических единиц оба эмиттерных перехода закрываются, и ток бу-

дет протекать по цепи от плюса ИП, через R1, переход база-коллектор VT1 на базу VT2. Тран-

зистор VT2 перейдёт в режим насыщения. Ток через него, а следовательно, и ток базы VT4 бу-

дет максимальным, и транзистор VT4 перейдёт в режим насыщения. На выходе будет низкий

уровень логического нуля. При этом напряжение на коллекторе VT2 и на базе VT3 будет близ-

ко к нулю и VT3 перейдёт в полностью закрытое состояние. Диод VD1 применяется для более

надёжного запирания транзистора VT3.

60) ТТЛ с Z-состоянием. Третьим, или Z-состоянием называется запрет приёма информации, при котором выходное сопротивление логического элемента стремится к бесконечности, а выходной ток - к нулю.

61)В ТТЛШ используются транзисторы Шоттки, в которых барьер Шоттки не позволяет транзистору войти в режим насыщения в результате чего диффузионная ёмкость мала и задержки переключения малы, а быстродействие высокое.

ТТЛШ-логика отличается от ТТЛ наличием диодов Шоттки в цепях база — коллектор, что исключает насыщение транзистора, а также наличием демпфирующих диодов Шоттки на входах (редко на выходах) для подавления импульсных помех, образующихся из-за отражений в длинных линиях связи (длинной считается линия, время распространения сигнала в которой больше длительности его фронта, для самых быстрых ТТЛШ микросхем линия становится длинной начиная с длины в несколько сантиметров).