Основой для изготовления полупроводниковых интегральных микросхем является

1) кремний;

2) германий;

3) арсенид галлия;

4) керамика.

110.Эпитáксия – это технологический процесс

1) наращивания монокристаллических слоев на полупроводниковую подложку;

2) внедрения примесей в полупроводниковый материал;

3) искусственного окисления кремния.

111.Термическое окисление – это

1) процесс наращивания монокристаллических слоев на полупроводниковую подложку;

2) окисление кремния с целью получения пленки двуокиси кремния;

3) введение необходимых примесей в монокристаллический полупроводник.

112.Фотолитография – это

1) процесс получения требуемой конфигурации в диэлектрических и металлических пленках, нанесенных на поверхность полупроводниковых или диэлектрических подложек;

2) введение необходимых примесей в монокристаллический полупроводник;

3) растворение полупроводникового материала с помощью жидкостного или сухого травителя.

113.Легирование – это

1) растворение полупроводникового материала с помощью растворителя;

2) окисление кремния с помощью создания защитной пленки двуокиси кремния;

3) операция введения необходимых примесей в монокристаллический полупроводник.

114.Изоляция интегрального п-р-п транзистора п-р переходом

1) состояние, когда потенциал подложки транзистора будет наименьшим из потенциалов точек структуры;

2) состояние, когда п-р-п транзистор создается внутри объема полупроводника, изолированного от других частей микросхемы пленкой двуокиси кремния;

3) замена полупроводниковой подложки на сапфировую.

115.Интегральный транзистор п-р-п – это биполярный транзистор

1) интегральных полупроводниковых микросхем;

2) с высоким коэффициентом ;

3) с большим количеством эмиттеров;

4) большим количеством коллекторов.

116.Недостаток интегральных п-р-п биполярных транзисторов

1) большая площадь, занимаемая им в микросхеме;

2) появление в его структуре паразитного р-п-р транзистора;

3) появление в его структуре паразитной емкости - коллектор-подложка.

117.Супербета – транзистор, это интегральный транзистор с

1) высоким коэффициентом передачи (до 5000);

2) большой площадью коллекторного периода;

3) малой площадью коллекторного перехода.