Студопедия

КАТЕГОРИИ:

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника



Характеристики полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом.

Читайте также:
  1. Ei — экспертная оценка i-й характеристики.
  2. I. Процессуальные характеристики мышления.
  3. II. Физические характеристики участников коммуникации
  4. III.2.1) Понятие преступления, его основные характеристики.
  5. IV.1.3 Типологические характеристики
  6. Ordm;. Геометрические характеристики криволинейных координат.
  7. U-образные характеристики синхронного генератора
  8. U–образные и рабочие характеристики синхронного двигателя
  9. А)Основные характеристики ковалентной связи.
  10. Административные связи и их характеристики

а) выходные;

б) входная;

в) стокозатворная.

 

 

Основные параметры полевых транзисторов.

1). Крутизна характеристики 2). Крутизна характеристики по подложке

 

 

3). Начальный ток стока Ic нач – ток стока при нулевом напряжении UЗИ; у транзисторов с управляющим p-n-переходом Iс нач = 0,2 – 600 мА; с технологически встроенным каналом Iс нач = 0,1 – 100 мА; с индуцированным каналом Iс нач = 0,01 – 0,5 мкА.

4). Напряжение отсечки UЗИ отс (UЗИ отс = 0,2 – 10 В).

5). Пороговое напряжение UЗИ пор (UЗИ пор = 1 – 6 В).

6). Сопротивление сток – исток в открытом состоянии Rси отк (Rси отк = 2 – 300 Ом).

7). Постоянный ток стока Ic max Ic max от 10 мА до 0,7 А).

8). Остаточный ток стока Ic ост – ток стока при напряжении UЗИ отс Ic ост = 0,001 – 10 мА).

9). Максимальная частота усиления fp – частота, на которой коэффициент усиления по мощности Кур равен единице (fp – десятки - сотни МГц).

Полевые транзисторы с изолированным затвором со встроенным и с индуцированным каналом. МДП, МОП, МНОП- транзисторы. Структура, принцип работы. Стокозатворные и выходные характеристики. Основные параметры

МДП-транзисторы (металл-диэлектрик-полупроводник) могут быть двух типов: транзисторы со встроенными каналами (канал создается при изготовлении) и транзисторы с индуцированными каналами (канал возникает под действием напряжения, приложенного к управляющим электродам).

Транзисторы первого типа могут работать как в режиме обеднения канала носителями заряда, так и в режиме обогаще­ния. Транзисторы второго типа можно использовать только в режиме обогащения. У МДП-транзисторов в отличие от транзисторов с управляющим р-n-переходом металлический затвор изолирован от полупроводника слоем диэлектрика и имеется дополнительный вывод от кристалла, на котором выполнен прибор (рис.1), называемый подложкой.

а – планарный транзистор с индуцированным каналом;

б – планарный транзистор со встроенным каналом.

 

 


Дата добавления: 2015-04-16; просмотров: 30; Нарушение авторских прав


<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Основные параметры биполярных транзисторов | Основные характеристики полевых транзисторов.
lektsii.com - Лекции.Ком - 2014-2018 год. (0.009 сек.) Главная страница Случайная страница Контакты