Использование туннельного диода в качестве генератора объясняется

1) наличием емкости p-n перехода;

2) наличием отрицательного дифференциального сопротивления на участке характеристики;

3) наличием малого постоянного сопротивления перехода.

Туннельные диоды обладают чрезвычайно малой инерционностью, так как

1) имеют малую диффузионную емкость;

2) перенос тока осуществляется основными носителями;

3) имеют малую толщину p-n перехода;

4) имеют малую площадь перехода.

25. Стабилитрон – это

1) полупроводниковый диод, работающий в режиме электрического пробоя;

2) полупроводниковый диод, обладающий высокой концентрацией примесей;

3) полупроводниковый диод, имеющий малое значение барьерной емкости;

4) полупроводниковый диод, обладающий малым дифференциальным сопротивлением.

Стабилитроны изготавливаются из

1) германия;

2) арсенида галлия;

3) кремния;

4) кремния и германия.

Напряжение стабилизации стабилитрона зависит от

1) концентрации примесей в областях диода;

2) дифференциального сопротивления диода;

3) емкости перехода.

Наименьшее напряжение стабилизации стабилитронов составляет

1) десятые доли вольт;

2) единицы вольт;

3) десятки вольт;

4) сотни вольт.

Максимальное напряжение стабилизации у кремниевого стабилитрона составляет

1) единицы вольт;

2) десятки вольт;

3) сотни вольт;

4) тысячи вольт.

30. Варикап – это

1) полупроводниковый диод, напряжение стабилизации которого меняется в широких пределах;

2) полупроводниковый диод, который используется для генерации и усиления электрических колебаний;

3) полупроводниковый диод, барьерная емкость которого меняется в широких пределах при изменении приложенного напряжения.

В режиме обратного включения работают полупроводниковые диоды

1) выпрямительные и варикапы;

2) стабилитроны и варикапы;

3) стабилитроны и детекторы;

4) варикапы и туннельные.

Минимальная температура, при которой могут работать полупроводниковые приборы, составляет

1) 0 С;

2) –60 С;

3) –100 С;

4) –150 С.

Максимальная рабочая температура для германиевых полупроводниковых приборов составляет

1) +50 С;

2) +110 С;

3) +150 С;

4) +200 С.

Максимальная рабочая температура для кремниевых полупроводниковых приборов составляет

1) +50 С;

2) +100 С;

3) +200 С;

4) +300 С.

Величина напряжения стабилизации кремниевых стабилитронов определяется

1) концентрацией примесей доноров и акцепторов;

2) площадью перехода;

3) шириной базовой области;

4) шириной области эмиттера.

36. После прекращения воздействия p-n переход восстанавливает свои свойства

1) при тепловом пробое;

2) при электрическом туннельном и лавинном пробое;

3) при электрическом и тепловом пробое;

4) в любом случае.