Студопедия

КАТЕГОРИИ:

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника



Понятие об электронно-дырочном переходе и полупроводниковом диоде.

Читайте также:
  1. I. Понятие города и его категории
  2. I. ПОНЯТИЕ МАТРИЦЫ.
  3. I.2.1) Понятие права.
  4. II.5.1) Понятие и система магистратур.
  5. II.6.1) Понятие юридических лиц.
  6. III.2.1) Понятие преступления, его основные характеристики.
  7. III.4.1 Понятие о жанрообразующем начале
  8. III.4.2) Понятие и форма вины.
  9. IV.2.1) Понятие и классификация исков частного права.
  10. V 1: Понятие как форма мышления

Полупроводниковые приборы в настоящее время широко применяются практически во всех отраслях науки и техники. Особенно большие возможности использования полупроводниковых материалов для приборов связаны со свойствами неоднородных полупроводниковых структур. Примером наиболее сильной из всех встречающихся неоднородностей является полупроводник, в котором концентрации примесей (доноров и акцепторов) меняются так, что в каком-то месте образца происходит смена типа проводимости с электронной на дырочную.

Область объемных зарядов, возникающая между двумя частями проводника с проводимостями р и n-типа называется электронно – дырочным переходом или р-n – переходом. Подчеркнем, что р – n переход получают в едином кристалле полупроводника; обычно р – и n-области представляют один и тот же полупроводник (германий Ge или кремний Si, или другие). В последние годы развита технология и созданы приборы на основе гетеропереходов (в одном кристалле р - область – один материал, n - область другой; например, Ge –GaAs, GaAs –GaF.

Прибор состоящий из р – n - перехода и двух омических контактов для включения во внешнюю цепь, представляет собой полупроводниковый диод (рисунок 74.1). По своему назначению полупроводниковые диды делятся на следующие группы: выпрямительные, высокочастотные, стабилитроны, варикапы, туннельные, фотодиоды, светодиоды и др.

Структура полупроводникового диода и его условное графическое обозначение в схемах

 

 
 

 

 


Рисунок 74.1

 


Дата добавления: 2015-02-10; просмотров: 7; Нарушение авторских прав


<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Измерения и обработка результатов | Электронно-дырочный переход в равновесии
lektsii.com - Лекции.Ком - 2014-2019 год. (0.01 сек.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав
Главная страница Случайная страница Контакты