КАТЕГОРИИ:
АстрономияБиологияГеографияДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Выводы по Разделу 3.На основании данных, приведенных в разделе, можно сделать вывод, что перспективными нелинейно-оптическими средами для ограничения излучения в спектральном интервале 2-5 мкм являются монокристаллические примесные полупроводники, интерферометры с пленкой диоксида ванадия и композитные среды с наночастицами галогенидов серебра (см. таблицу 1.).
Таблица 1. Параметры ограничителей для спектрального диапазона 2.0 -5.0 мкм.
* - для нелинейных интерферометров – пропускание либо отражение; ** - приведены наилучшие экспериментально полученные пороги ограничения.
Однако, данные материалы и ограничители на их основе еще недостаточно изучены и не оптимизированы с точки зрения получения эффективного ограничения.
Раздел 4. Ограничители излучения для спектрального диапазона 5-12 мкм (τ = 1 мкс – 100 мкс). Глава 4.1. Ограничители излучения на основе двухфотонного поглощения в монокристаллических полупроводниках.
Для ограничения излучения в спектральном интервале 5-12 мкм может быть использовано двухфотонное поглощение в узкозонных монокристаллических полупроводниках. Коэффициенты двухфотонного поглощения узкозонных полупроводников на длине волны 10.6 мкм в 200 раз выше, чем у GaAs на длине волны 1.06 мкм (см. таблицу 1). Это позволяет получить эффективное ограничение излучения при интенсивности излучения 100-200 кВт/см2 даже для микросекундных лаерных импульсов. Таблица 1. Коэффициенты двухфотонного поглощения узкозонных полупроводников [1, 2].
Однако, при комнатной температуре узкозонные полупроводники имеют высокую концентрацию свободных носителей заряда. Это приводит к высокому линейному поглощению полупроводников и невозможности получения высокого начального коэффициента пропускания. Литература к главе 4.1.: 1.A.K.Kar, J.G.H.Mathew, S.D.Smith et al Optical bistability in InSb at room temperature with two-photon excitation // Appl.Phys.Lett., 1983, 42, №4, P.334-336. 2.J.G.H. Mathew, D.Craig, A.Miller Optical switching in a CdHgTe etalon at room temperature // Appl.Phys.Lett., 1985, 46, №2, P.128-130.
|