Примеры решения некоторых пунктов задачи.

Пример 1. Определить параметры Т-образной схемы замещения транзистора для схемы с ОЭ, используя выходные ВАХ транзистора, приведенные на рисунке 1. Для рабочей точки А необходимо определить коэффициент передачи тока базы в схеме с ОЭ по постоянному и переменному току, дифференциальное сопротивление коллекторного перехода , дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода .

Решение. Интегральный коэффициент усиления по току определяется из характеристик как отношение тока коллектора в рабочей точке (в нашем случае 4,2 мА) к току базы в рабочей точке (в рассматриваемой задаче ток базы в рабочей точке равен 100 мкА).

Дифференциальный коэффициент усиления по току в режиме малого сигнала определяется как отношение приращения коллекторного тока (в нашем случае 5,3-4,2=1,1 мА) к вызвавшему его приращению тока базы (в нашем случае 25 мкА) при постоянном напряжении на коллекторе.

Дифференциальное сопротивление коллекторного перехода определяется как отношение приращения коллекторного напряжения к приращению коллекторного тока при постоянном токе базы.

Дифференциальное сопротивление эмитгерного перехода зависит только от тока эмиттера в рабочей точке:

,

где - температурный потенциал, равный 26 мВ.

Полагая, что токи эмиттера и коллектора в рабочей точке одинаковы и равны 4,2 мА, определяем:

Пример 2. Рассчитать координаты рабочей точки транзистора усилительного каскада, собранного по приведенной на рис.2 схеме, если

Решение. Определим потенциал базы транзистора, пренебрегая базовым током по сравнению с током делителя

Рассчитаем ток эмиттера транзистора

Ток коллектора транзистора в рабочей точке

.

Ток базы транзистора в рабочей точке

Ток делителя в базовой цепи равен

,

т.е. много больше тока базы и пренебрежение этим током в начале расчета вполне оправдано.

Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора в рабочей точке

Пример 3.На выходных характеристиках транзистора построить нагрузочные прямые по постоянному и переменному току, используя исходные данные и результаты решения предыдущей задачи.

Если принять ток коллектора транзистора равным току эмиттера, выражение для нагрузочной прямой по постоянному току можно представить в следующем виде

На практике часто линию нагрузки проводят через две точки С и В с координатами ( , ) и ( , ).

Пересечение линии нагрузки с характеристикой, соответствующей , определяет точку покоя на выходных ВАХ, т. е. и . В нашем случае , (см. рис. 3.).

Эквивалентное сопротивление нагрузки каскада для переменной составляющей равно

,

если пренебречь дифференциальным сопротивлением коллекторного перехода , которое обычно больше ( ).

Поскольку , то линия нагрузки по переменному току (рис. 3.)будет идти круче. Отметим, что линию нагрузки по переменному току строят по отношению приращений напряжения и тока .

Задав приращение тока базы , находим приращение тока коллектора (см. рис.3.). Затем определяем приращение напряжения на коллекторе транзистора

и по полученным приращениям тока коллектора и напряжения на коллекторе транзистора находим положение точки D на ВАХ транзистора. Соединив точки Аи D прямой получаем нагрузочную прямую по переменному току, по которой можно оценить максимальную амплитуду неискаженного выходного сигнала.

Задача 3. Рассчитать насыщенный ключ на биполярном транзисторе (рис. 1.) с параметрами, приведенными в табл. 1.

Табл. 1.

Вариант	Тип транзистора			Вари ант	Тип транзистора
	КТ361А		0,5		КТ357В
	КТ361В		0,75		КТ3107А
	КТ357Г		0,75		КТ3107Б		2,4
	КТ357В		1,5		КТ3107Д		2,7
	КТ3107А				КТ361А		1,5
	КТ3107Б		2,4		КТ361В
	КТ3107Д		2,7		КТ357Г		1,5
	КТ361А				КТ357В		1,8
	КТ361В		0,5		КТ3107А
	КТ357Г		0,75		КТ3107Б		1,3

Исходными данными для расчета являются:

- тип транзистора Т1 и его некоторые характеристики (приведены в таблице 2.),

- напряжение источника питания ,

- сопротивление нагрузки .

Подлежат расчету или выбору:

- сопротивления резисторов и в базовой цепи,

- напряжение источника смещения ,

- длительности фронтов выходных импульсов,

- время рассасывания заряда неосновных носителей в области базы.