![]() КАТЕГОРИИ:
АстрономияБиологияГеографияДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Примеры решения некоторых пунктов задачи.Пример 1. Определить параметры Т-образной схемы замещения транзистора для схемы с ОЭ, используя выходные ВАХ транзистора, приведенные на рисунке 1. Для рабочей точки А необходимо определить коэффициент передачи тока базы в схеме с ОЭ
Дифференциальный коэффициент усиления по току в режиме малого сигнала определяется как отношение приращения коллекторного тока Дифференциальное сопротивление коллекторного перехода Дифференциальное сопротивление эмитгерного перехода зависит только от тока эмиттера в рабочей точке:
где Полагая, что токи эмиттера и коллектора в рабочей точке одинаковы и равны 4,2 мА, определяем:
Пример 2. Рассчитать координаты рабочей точки транзистора усилительного каскада, собранного по приведенной на рис.2 схеме, если
Рассчитаем ток эмиттера транзистора Ток коллектора транзистора в рабочей точке
Ток базы транзистора в рабочей точке Ток делителя в базовой цепи равен
т.е. много больше тока базы и пренебрежение этим током в начале расчета вполне оправдано. Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора в рабочей точке
Пример 3.На выходных характеристиках транзистора построить нагрузочные прямые по постоянному и переменному току, используя исходные данные и результаты решения предыдущей задачи. Если принять ток коллектора транзистора равным току эмиттера, выражение для нагрузочной прямой по постоянному току можно представить в следующем виде На практике часто линию нагрузки проводят через две точки С и В с координатами (
Эквивалентное сопротивление нагрузки каскада для переменной составляющей равно
если пренебречь дифференциальным сопротивлением коллекторного перехода Поскольку Задав приращение тока базы и по полученным приращениям тока коллектора Задача 3. Рассчитать насыщенный ключ на биполярном транзисторе (рис. 1.) с параметрами, приведенными в табл. 1. Табл. 1.
- тип транзистора Т1 и его некоторые характеристики (приведены в таблице 2.), - напряжение источника питания - сопротивление нагрузки Подлежат расчету или выбору: - сопротивления резисторов - напряжение источника смещения - длительности фронтов выходных импульсов, - время рассасывания заряда неосновных носителей в области базы.
|