Реальные ВАХ Ge-диода

Реальные ВАХ Si-диода

Реальные ВАХ Ge-диода

	Реальная вольт-амперная характеристика полупроводникового диода Uпр - обратное напряжение, при котором происходит пробой p-n перехода. Imax - предельный ток

Напряжение пробоя незначительно растет с повышением тем-ры у Si-диодов, и резко уменьшается у Ge-диодов (такая зависимость связана с особенностями движения носителей заряда в этих полупроводниках)

Основными параметрами выпрямительных диодов являются:

– максимально допустимый прямой ток Iпр.max,

– максимально допустимое обратное напряжение Uобр.max,

– максимально допустимая частота fmax
- обратный ток диода I обр. (измеряется при максимальном обратном напряжении)
- прямое падение напряжения (измеряется при максимальном токе)
- максимальная тем-ра корпуса