Полевой транзистор с изолированным затвором (с индуцированным каналом).

При нулевом напряжении U_ЗИ = 0 канал между истоком и стоком отсутствует. Встречно направленные p–n – переходы препятствуют движению электронов от истока к стоку: канал отсутствует. При U_ЗИ > 0 возникающее под затвором электрическое поле будет отталкивать положительные заряды (дырки, являющиеся основными носителями в p–полупроводнике) в глубь полупроводника. При некотором пороговом значении напряжения между стоком и истоком под затвором накапливается достаточный слой электронов. Создается (индуцируется) проводящий канал, толщина которого может составлять 1...2 нанометра и она далее практически не меняется. Удельная проводимость канального слоя зависит от концентрации электронов в нем. Изменяя U_ЗИ , можно менять величину тока стока.

Вид ВАХ этого типа транзистора отличается от предыдущих тем, что ток возникает при положительных напряжениях u_ЗИ > U_{ЗИ, ПОР} , где U_{ЗИ, ПОР} - напряжение отпирания транзистора. Примерный вид стоковых и сток–затворных ВАХ транзистора c индуцированным каналом.