Студопедия

КАТЕГОРИИ:

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника



Достоинства микроэлектронных изделий




Читайте также:
  1. Абсорбционный способ осушки газа. Достоинства и недостатки. Принципиальная схема.
  2. Б6-в2 Хохломская роспись. Техника изготовления изделий. Виды росписи.
  3. Биоэтика и принцип “уважения прав и достоинства человека”.
  4. Важнейшие институциональные достоинства и изъяны с позиций эффективности и справедливости
  5. Виды изделий.
  6. Виды, свойства и прочностные характеристики материалов и изделий для кирпичной кладки
  7. Вопрос 1. Понятие и виды личных неимущественных прав, их гражданско-правовая защита. Право на защиту чести, достоинства и деловой репутации.
  8. Вопрос 60. Учет затрат по нормам. Порядок списанная и включения отклонений от норм в себестоимость отдельных изделий.
  9. Вопрос 62. Порядок определения фактической себестоимости отдельных видов изделий.
  10. Вопрос №5. Стили управления. Достоинства и недостатки различных стилей управления.

Поскольку ИС представляет собой единое целое, выполняет определенную функцию и должна удовлетворять определенным требованиям при испытаниях, поставках и эксплуатации, она относится к разряду электронных приборов. Однако по сравнению с диодом. транзистором и т.п. ИС является качественно новым типом приборов.

Первая - главная особенность состоит в том, что она самостоятельно выполняет законченную, часто весьма сложную функцию. Она может быть усилителем, запоминающим устройством и т.п.

Второй - важной особенностью ИС является то, что повышение её функциональной сложности не сопровождается ухудшением какого-либо из основных показателей (надежность, стоимость и т.д.).Более того, все эти показатели улучшаются.

Поскольку габариты и масса простых и средних ИС близки к габаритам и массе дискретных транзисторов, можно считать, что в первом приближении выигрыш по этим показателям при переходе от дискретных схем к интегральным определяется степенью интеграции и может достигать сотен и тысяч раз. Поскольку надежность работы полупроводникового прибора в аппаратуре определяется прежде всего количеством паяных и (в меньшей степени) сварных соединений, то ИС, у которых межсоединения элементов осуществляются путем металлизации обладают заведомо повышенной надежностью по сравнению с дискретными схемами, выполняющими ту же функцию. По мере увеличения степени интеграции этот выигрыш возрастает.

Поскольку все элементы ИС изготавливаются в едином технологическом цикле, то количество технологических операций по их изготовлению не намного превышает количество операций по изготовлению отдельного транзистора. Поэтому стоимость ИС при прочих равных условиях близка к стоимости одного транзистора. Значит в зависимости от степени интеграции (или, точнее, от плотности упаковки), стоимость одного элемента ИС по сравнению со стоимостью аналогичного дискретного компонента может быть в сотни раз меньше. Такое же соотношение имеет место между стоимостью аналогичной схемы, выполненной на дискретных компонентах.

Третья особенность ИС состоит в предпочтении активных элементов перед пассивными - принцип, диаметрально противоположный тому, который свойствен дискретной транзисторной технике. В последней активные компоненты, особенно транзисторы, наиболее дорогие, и поэтому оптимизация схемы при прочих равных условиях состоит в уменьшении количества активных компонентов. В ИС схемах дело обстоит иначе: у них задана стоимость не элемента, а кристалла; поэтому целесообразно размещать на кристалле как можно больше элементов с минимальной площадью. Минимальную площадь имеют активные элементы - транзисторы и диоды, а максимальную - пассивные. Следовательно, оптимальная ИС, у которой сведены к минимуму количество и номиналы резисторов и, особенно конденсаторов.



Четвертая особенность ИС связана с тем, что смежные элементы расположены друг от друга на расстоянии, измеряемом в мкм или долях мкм. На таких малых расстояниях различие электрофизических свойств материала маловероятно, а следовательно, маловероятен и значительный разброс параметров у смежных элементов. Иначе говоря, параметры смежных элементов взаимосвязаны - коррелированы. Эта корреляция сохраняется и при изменении температуры: у смежных элементов температурные коэффициенты параметров практически одинаковы. Корреляция между параметрами смежных элементов используется при проектировании некоторых ИС с целью снизить влияние разброса параметров и изменений температуры.

 


Дата добавления: 2015-08-05; просмотров: 16; Нарушение авторских прав







lektsii.com - Лекции.Ком - 2014-2021 год. (0.007 сек.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав
Главная страница Случайная страница Контакты