КАТЕГОРИИ:
АстрономияБиологияГеографияДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Д419А, 2Д419Б, 2Д419В с барьером Шотки
На рисунке 2.17 показана конструкция кремниевых высокочастотных диодов 2Д419А, 2Д419Б, 2Д419В с барьером Шотки, предназначенных для применения в линейных детекторах и преобразователях сигнала в широком динамическом диапазоне на частотах до 400 МГц. Выпускаются диоды в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода приводится на корпусе. Маска диода не более 0,035г. В настоящее время имеется значительное количество областей техники, испытывающих потребность в полупроводниковых приборах повышенной (температура перехода более +200 °С) термостойкости. Напомним, что полупроводниковые приборы на кремнии имеют температуру перехода в пределах +100...+ 150 °С. Наиболее освоенные в электронике полупроводниковые материалы, которые могли бы стать основой для разработки и выпуска полупроводниковых приборов повышенной термостойкости, являются широкозонные материалы семейства АIIIВV , например, арсенид галлия. Арсенидгаллиевые выпрямительные диоды, имеют одинаковую с кремниевыми диодами коммутируемую мощность, отличаются в несколько раз меньшими массогабаритными показателями, так как позволяют работать из-за повышенной ширины запрещенной зоны при температурах перехода до +240... +280 °С. Столь высокие допустимые значения температуры перехода обеспечивают также выигрыш в массе радиоэлектронных устройств за счет уменьшения теплорассеивающих элементов. Другим преимуществом арсенида галлия по сравнению с кремнием является значительно большая подвижность носителей заряда, что позволяет использовать арсенидгаллиевые диоды в диапазоне частот преобразования 100...500 кГц, переключая импульсные токи до 500 А с полным временем включения менее 10-9 с. Это обстоятельство также приводит к уменьшению массо-габаритных показателей преобразовательных устройств при одновременном повышении их КПД. В настоящее время промышленностью выпускаются арсенидгаллиевые диоды на импульсное обратное напряжение 100…600 В, средний прямой ток до 50 А, импульсное прямое напряжение до 2,5 В с временем обратного восстановления до 0,5 мкс. На рисунке 2.18 показана конструкция арсенид – галиевых выпрямительных, быстро восстанавливающихся диодов 3Д4104-10, 3Д4104-10Х, 3Д4104-25, 3Д4104-25Х.
Рисунок 2.18 - Конструкция арсенид-галиевых выпрямительных,
|