Структура преобразователей фононных излучений

ПРИЛОЖЕНИЕ Б

ГРАФИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ

Формирование диодных структур ИП по схеме кассетного вплавления

Кристалл полупроводника; 2 - заготовки электродного сплава;3 - металлический толкатель; 4 - тело кассеты; 5 - графитовые пробки

Схема установки формирования гомодиодных структур ИП диффузионным методом

А) - в закрытом объеме; б) - по методу открытой трубы; в) - по методу полузакрытого бокса при соответствующем распределении температуры (г).

Высокотемпературная печь, 2 - кварцевая труба, 3 - полупроводниковое основание, 4 - лодочка с диффузантом, 5 - низкотемпературная печь

Структурная схема установки формирования гетеропереходов из соединений А_nB_m

1 – реакционная камера; 2 – нагревательные камеры; 3 – заслонки; 4 – загру­зочные окна; 5 – подложкодержатель с подложкой; 6 – экран; 7 – вакуумный аг­регат; 8 – кронштейн реакционной камеры

Структура преобразователей фононных излучений

Металлический слой, 2 - оптический канал, 3 - слой собственного полупроводника, 4 - просветляющий слой, 5 - полупроводниковое основание, 6 - омический контакт, 7 - слой обратной проводимости, 8 - изоляционный слой