Какие электронно-дырочные переходы называют симметричными и какие несимметричными?

3. Какие p-n переходы называют резкими, а какие плавными?

4. Какие технологические приемы используются для создания электронно-дырочных переходов?

5. Изобразите и поясните распределение концентрации примесей, электронов, дырок, объемных зарядов, потенциала и напряженности электрического поля в окрестности резкого несимметричного p-n перехода с концентрацией доноров, значительно превышающей концентрацию акцепторов для равновесного состояния.

6. Изобразите и объясните энергетическую зонную диаграмму p-n перехода (см. вопрос 5) в равновесном состоянии.

7. От какого параметра полупроводникового материала зависит высота потенциального барьера p-n перехода при одинаковой концентрации примесей в р- и n- областях?

8. Какие составляющие токов протекают в p-n переходе в равновесном состоянии? Чему равен при этом результирующий ток? Почему?

9. Покажите, что высота потенциального барьера p-n перехода, сформированного в невырожденном полупроводнике, определяется выражением

,

где p_р- и n_n- равновесные концентрации основных носителей заряда в p- и n-областях; n_i- концентрация собственных носителей заряда.

10. Изобразите и объясните вольтамперную характеристику p-n перехода.

11. Что такое «инжекция неосновных неравновесных носителей заряда» через
p-n переход?

12. Что такое «ток насыщения», от чего он зависит?

13. Объясните влияние концентрации примеси, температуры окружающей среды и ширины запрещенной зоны полупроводника на вид вольтамперной характеристики p-n перехода.

14. Изобразите энергетическую зонную диаграмму p-n перехода (см. вопрос 5) при подаче на p-n переход прямого смещения.

15. Изобразите энергетическую зонную диаграмму p-n перехода (см. вопрос 5) при подаче на p-n переход обратного напряжения.

16. Объясните, как изменяется контактная разность потенциалов p-n перехода при увеличении температуры.

17. Как и почему изменяется контактная разность потенциалов p-n перехода при увеличении концентрации примесей в полупроводнике?

18. Как и почему изменяется контактная разность потенциалов p-n перехода при увеличении ширины запрещенной зоны полупроводника?

19. Можно ли использовать контактную разность потенциалов, возникающую в p-n переходе, в качестве источника напряжения? Ответ поясните.

20. Почему разность потенциалов в полупроводнике с неоднородным распределением примеси нельзя измерить вольтметром?

21. Объясните виды пробоя p-n перехода.

22. Как изменяется пробивное напряжение p-n перехода при увеличении концентрации примеси в полупроводнике?

23. Выведите аналитическое выражение для тока насыщения p-n перехода и объясните зависимость этого тока от температуры, концентрации примеси, ширины запрещенной зоны полупроводника, приложенного напряжения.

24. Какова природа объемных зарядов в p-n переходе?

25. Объясните природу барьерной емкости p-n перехода и ее зависимость от приложенного напряжения.

26. Во сколько раз изменится емкость резкого p-n перехода при увеличении обратного напряжения от 20 до 80 вольт?

27. Влияет ли увеличение концентрации примеси в полупроводнике на величину барьерной емкости p-n перехода? Ответ поясните.

28. Что такое «подвижность носителей заряда»?

29. Что влияет на величину подвижности носителей заряда?

30. Как рассчитать подвижность носителей заряда, зная удельное сопротивление полупроводника и концентрацию основных носителей заряда?

31. Как рассчитать коэффициент диффузии носителей заряда, зная их подвижность?

Некоторые параметры основных полупроводниковых
материалов при Т=300 К (kT/q=0,026 В).