ограничение Uвх происходит пока диод открыт.

Рассмотренная схема обеспечивает ограничение « сверху » нулевым порогом.

При необходимости ограничить сигнал « снизу » достаточно из­менить на обратную полярность включения диод VD.

Для получения порога ограничения отличного от нуля, в цепь диода вводят источник смещения Есм

При Uвх = 0 диод закрыт (+) Есм. С ростом U_ВХ (пока U_ВХ < Е_СМ)

Uвых = Uвх

При U_ВХ Е_СМ диод открывается и U_ВЫХ перестаёт изменяться за U_ВХ

Таким образом схема обеспечивает ограничение «сверху» на уровне Есм .

Для ограничения «снизу» необходимо в схеме изменить направление включения диода и изменить полярность включения Есм.

При (+)Uвх VD2 закрыт и схема обеспечивает ограничение « сверху »

с помощью диода VD1 на уровне Е1.

При (-)Uвх VD1 закрыт и схема обеспечивает ограничение « снизу »

с помощью VD2 на уровне –Е2.

Применение диодных ограничителей.

- ограничение амплитуды до необходимого уровня

- выделение синусоидальных импульсов

- преобразование синусоидальных импульсов в другие

(например в трапециидальные импульсы)

- селекция импульсов

На выходе получаются импульсы, превышающие уровень шумов.

Достоинство диодных ограничителей – простота.

Недостаток:– отсутствие усиления, поэтому выходные импульсы

всегда меньше входных. (т.е. Uвых Uвх ).

Это затрудняет получение прямоугольных импульсов с крутыми

фронтами из синусоидальных импульсов большой амплитуды.

Транзисторный усилитель-ограничитель

– наряду с ограничителем напряжения обеспечивает его усиление.

Ограничение в таких устройствах осуществляется за счёт использования

нелинейных областей ВАХ усилительных элементов.

Схема VТ -УО имеет вид :

По своему виду схема близка к схеме обычного усилителя.

Работа схемы при преобразовании синусоидальных импульсов в трапецеи-

дальные путём двустороннего ограничения исходного положения начальной

рабочей точки на середине НП.

Выходной синусоидальный сигнал характеризуется амплитудой тока базы ,

превышающей половину тока насыщения. В области активного режима АБ

происходит усиление той части входного сигнала, которая не должна быть

ограничена.

Двустороннее ограничение обеспечивается, с одной стороны областью

насыщения (точка Б), а с другой стороны областью отсечки (точка А).

Положительное :

- хорошее качество импульсов

- хороший тепловой режим VT так как мощность на коллекторе выделяется лишь в режиме переключения.

/ в области насыщения Uкэ примерно = 0.

/ в области отсечки ток коллектора примерно равен нулю.

Конденсатор Ср1 заряжается с полярностью указанной на рисунке,

за счёт того что ток зарядки через насыщенный VT больше тока разрядки

через R1, когда VT закрыт.

Диод VD даёт возможность Ср быстро разряжаться и тем самым

предотвращает « сползание » НРТ.