![]() КАТЕГОРИИ:
АстрономияБиологияГеографияДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Линеаризованная модель биполярного транзистораИспользуя формальную запись нелинейных зависимостей Iк= F(Iб, Uкэ); Uбэ= F(Iб, Uкэ) (4.7) и разлагая (4.7) в ряд Тейлора относительно некоторого режима покоя Iб0, Iк0, Uкэ0, Uбэ0, получаем линеаризованное уравнение
или, вводя обозначения,
Физический смысл коэффициентов линеаризованного уравнения (4.8) вытекает из математических соотношений:
Уравнениям (4.8) соответствует электрическая схема, которая и является линеаризованной моделью биполярного транзистора (рис. 4.12).
Рис. 4.12. Линеаризованная электрическая модель
Параметры линеаризованной модели зависят от режима покоя, поэтому в справочных данных они приводятся для конкретного режима и для другого режима должны быть пересчитаны, определены экспериментально или графически по ВАХ. В технической литературе уравнения (4.8) часто приводятся в системе h-параметров (из теории электрических четырехполюсников):
Из (4.8) и (4.9) очевидны значения и смысл h-параметров. Инерционность биполярного транзистора в активном режиме можно определить введением диффузионной емкости открытого эмиттерного перехода Сэд и зарядной емкости коллекторного перехода Скз (см. рис. 4.13), где для упрощения принято g = 0. Рис. 4.13. Линеаризованная модель биполярного
Следует еще раз подчеркнуть, что практическое использование даже линеаризованных моделей для ручного расчета приводит к достаточно сложным аналитическим выражениям, поэтому следует рекомендовать в качестве основного способа анализа – цифровое моделирование.
|