Адгезия механических частиц на поверхность полупроводниковых пластин

На механическую частицу в воздушном пространстве действуют силы притяжения (Ван-дер-Ваальса, электростатическая) и оттал­кивания, при этом силы притяжения в обычных условиях преобла­дают. В воздушной среде ЧПП концентрация ионов на два порядка выше, чем в обычном помещении. Статический заряд полупровод­никовых пластин (электропотенциал) составляет около 1000 В, что существенно увеличивает количество притягиваемых к поверхно­сти подложек загрязнений. Воздействие заряда пластины сущест­венно увеличивается на механические загрязнения меньшего диа­метра (рис.2.2).

После отмывки подложек в чистой деионизованной воде марки "А" поверхностный заряд составляет около 5000 В. Для снижения влияния заряда пластин на чистоту поверхности проводят ряд ор­ганизационных мероприятий, среди которых следует выделить за­земление электрического заряда, скапливаемого на рабочей одежде операторов технологических участков, а также увеличение влажно­сти воздуха ЧПП.

Рис.2.2. Воздействие статического заряда на адгезию механических частиц различного диаметра к поверхности кремниевых пластин

В жидкости количество осаждаемых загрязнений на поверх­ность зависит от чистоты химических растворов, массы, скорости движения жидкости. Адгезия загрязнений в жидкости может рас­сматриваться по диффузионной модели (рис.2.3).

Рис.2.3. Диффузионная модель адгезии механической частицы к полупровод­никовой поверхности в жидкости

Практические измерения показали, что содержание примесей Na в растворе H₂SO₄ (ОСЧ), применяемом в отечественной техноло­гии, составляет величину 5·10¹⁰ ат./см²: присутствие загрязнений Al ~ 1·10¹³ ат./см², Fe ~ 5·10¹² ат./см² в растворах NH₄OH (ОСЧ) и H₂O₂ (ОСЧ) делает невозможным их применение для изготовления ИС с B_min ~ 0,6 мкм. Основными направлениями решения вопросов чистоты поверхности подложек в процессе "жидкостной" химиче­ской обработки являются: ужесточение требований к системам фильтрации технологических растворов, разработка новых техни­ческих решений и методов проведения обработки.