Студопедия

КАТЕГОРИИ:

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника



X-потенциал материалов в растворах с различным рН, мВ

Читайте также:
  1. IV. Отношение коммунистов к различным оппозиционным партиям
  2. Агломерата и других материалов
  3. Анализ использования материалов
  4. Анализ статистических материалов
  5. Аналитический учет материалов на складе и в бухгалтерии
  6. Аудит поступления материалов
  7. Бухгалтерский учет: Бухгалтерский учет сырья и материалов
  8. Веществ и материалов
  9. Взаимосвязь между различными константами равновесия.

 

Материалы HF/H2O (рН = 3) NH4OH/H2O2 (рН = 8,8)
Si -20 -50
SiO2 -60
x-механические частицы -30

 

Современной методикой уменьшения влияния x-потенциала на загрязнения является добавление поверхностно-активных веществ (ПАВ) в раствор (рис.2.4 – 2.7).

 
 

 

Рис.2.4. Механические загрязнения в воде

 

 

Рис.2.5. Механические загрязнения в растворе с анионными ПАВ

 
 

 

Рис.2.6. Механические загрязнения в растворе с нонионными ПАВ

 

 
 

Рис.2.7. Механические загрязнения в растворе с катионными ПАВ

 

 

Отрицательный x-потенциал на частицах можно создать, доба­вив анионное ПАВ, и положительный x-потенциал, добавив кати­онное ПАВ. Таким образом, добавляя в раствор для удаления слоев SiO2 на основе HF/H2O соответствующее ПАВ, можно одновре­менно удалять загрязнения с поверхности кремниевых пластин. В отечественной микроэлектронике работы в указанном направлении ведутся, однако положительных результатов пока не достигнуто, т.к. существует проблемы, в основном связанные с тем, что, ПАВ порой сами являются причиной дополнительных загрязнений по­верхности подложек.

Необходимо отметить следующие экспериментальные зависи­мости. Большее количество остаточных загрязнений на поверхно­сти полупроводниковых пластин наблюдается, когда ионная сила раствора увеличивается, разница значений x-потенциала частицы и пластины растет, диаметр механических частиц уменьшается [27].

Практические результаты показали, что при среднем исходном уровне загрязнения поверхности кремниевых пластин диаметром 150 мм на уровне 700 частиц после очистки подложек в растворе H2SO4/H2O2 количество загрязнений уменьшилось до 650 частиц, после проведения очистки подложек в растворе NH4OH/H2O2/H2O средний конечный уровень загрязнений составил 60 частиц на пла­стине.

 


Дата добавления: 2015-01-29; просмотров: 13; Нарушение авторских прав


<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Адгезия механических частиц на поверхность полупроводниковых пластин | Очистка поверхности подложек в перекисно-аммиачном растворе
lektsii.com - Лекции.Ком - 2014-2019 год. (0.008 сек.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав
Главная страница Случайная страница Контакты