Студопедия

КАТЕГОРИИ:

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника



Паразитные транзисторные структуры




Читайте также:
  1. II. ЕДИНСТВЕННО ПРАВИЛЬНЫЙ ТИП ОРГАНИЗАЦИОННОЙ СТРУКТУРЫ
  2. Абстрактные структуры данных
  3. Адаптивные структуры управления
  4. Алгоритм определения предпочтительной организационной структуры управления диверсифицированной фирмой
  5. Анализ динамики и структуры депозитов ОАО «РСК Банк», тыс.сом
  6. Анализ динамики и структуры объекта исследования
  7. Анализ динамики и структуры объекта исследования
  8. Анализ и оценка состава и структуры ресурсной базы КБ. Анализ основных направлений использования ресурсов.
  9. АНАЛИЗ И ОЦЕНКА СТРУКТУРЫ ЗЕМЛЕПОЛЬЗОВАНИЯ. ОСНОВНЫЕ ПОНЯТИЯ
  10. Анализ состава и структуры капитала предприятия

В КМОП БИС паразитные МОП-транзисторы могут быть сформированы между активными МОП-транзисторами разных типов проводимости. Паразитные структуры такого типа представленына рис.5.3. В этом случае исток паразитного p-МОП транзистора образован p+-областью активного p-МОП транзистора, а его сток — p-карманом активного n-МОП транзистора. Исток паразитного n-МОП транзистора образован n+-областью активного n-МОП транзистора, а его сток — n-подложкой схемы. Затворы паразитных транзисторов образованы металлизированным либо поликремниевым межсоединением на изолирующем окисле SiO2 между активными p-МОП транзисторами. Поскольку концентрации примесей в областях таких паразитных транзисторов существенно различаются, такие структуры являются ассиметричными. Влияние таких структур проявляется в образовании каналов проводиости между областями активных p- и n-МОП транзисторов. Так, полагая, что на n-подложку подано напряжение высокого уровня ~Uc, а p-карман — нулевой потенциал, паразитный p-МОП транзистор будет способствовать передаче нулевого потенциала на p-область активного p-МОП транзистора, а паразитный n-МОП транзистор – потенциала ~Uc на n+-область активного n-МОП транзистора. Полагая, что p+- и n+-области являются стоками p- и n- МОП транзисторов логического элемента (ЛЭ), такие каналы при включении активных транзисторов будут изменять уровн напряжений на активных транзисторах, что будет эквивалентно потере логического состояния ЛЭ и отказу БИС в целом. Помимо функционального отказа, этот тип паразитной структуры будет проявляться в большом статическом токе потребления стока.

Поскольку данные паразитные структуры практически устранить нельзя, основными методами ослабления ее величины является повышение пороговых напряжений n-МОП и p-МОП транзисторов до уровня, значительно превышающего максимально допустимые уровни напряжении в БИС. Это достигается увеличением толщины изолирующего окисла и повышеним конценитрации примесей p+-типа в карман и n+-типа в область под изолирующимокислом.

Рисунок 5.3– Структура паразитного МОП-транзистора.

Наличие в КМОП схемах np-канальных МОП транзисторов обуславливает появление в структуре двух типов паразтных биполярных транзисторов p-n-p и n-p-n(рис.5.3). Биполярный транзистор p-n-p типа образован p+ областью (исток p-канального МОП транзистора), n--областью (база — подложка КМОП схемы) и p--облстью (коллектор — карман КМОП схемы), а вертикальный n-p-n транзистор образован n+-областью (эмиттер — исторк n-канального транзистора), p--областью (база — карман КМОП схемы) и n--областью (коллектор — подложка КМОП схемы). Видно, что эти транзисторы соединены друг с другом по схеме: база n-p-n транзистора соединениа с коллектором p-n-p транзистора, а база n-p-n транзистора с коллектором p-n-p транзистора. Транзисторы, образуя общий коллекторный переход. Следовательно, получится одна из разновидностей схем с положительной обратной связью — тиристорная структура. И если в какой-то момент времени по входу (выходу) работающей схемы приложить напряжение, превышающее значение напряжения питания (+Uc) или меньшее, чем на общей шине –Uc, то в результате регенеративного срабатывания биполярных структур между источником питания и общим выводом образуется фиксированная низкоомная проводимая нить, приводящая к резкому скачку тока потребления. При этом микросхема не реагирует на управляющее воздействие (не выполняет систему команд), даже если дестабилизирующие факторы, вызывающие перевод микросхемы в этот режим устранены. Такое состояние КМОП-схем называется защелкиванием. Особенно важно избегть зажелкивания в КМОП-структурах с малыми геометрическими размерами элементов.


Дата добавления: 2014-11-13; просмотров: 80; Нарушение авторских прав







lektsii.com - Лекции.Ком - 2014-2021 год. (0.011 сек.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав
Главная страница Случайная страница Контакты