Порядок выполнения работы. 1. Включить измерительную схему.

1. Включить измерительную схему.

2. Меняя потенциометром R ток диода, снять прямую ветвь вольт-амперной характеристики. На начальном участке характеристики следует получить возможно большее число точек.

3. Изменить полярность включения диода. Меняя потенциометром R напряжение , снять обратную ветвь вольт-амперной характеристики аналогично п. 2.

4. По формуле (2) рассчитать ток диода.

5. Результаты измерения и вычислений занести в таблицу.

6. Построить вольт-амперную характеристику, используя разные масштабы по оси тока (mA для прямого тока и mkA для обратного тока).

7. Оценить из вольт-амперной характеристики потенциальный барьер p-n перехода U₀ , проведя касательную к прямой ветви характеристики (см. рис. 2).

8. Определить ток насыщения I_S из вольт-амперной характеристики.

Таблица

Ветвь хар-ки	, дел	, В	, дел	, В
Прямая
Обратная

Контрольные вопросы

1. Что представляет собой полупроводник n-типа? Что является основными носителями тока в таком полупроводнике?

2. Что представляет собой полупроводник p-типа? Что является основными носителями тока в таком полупроводнике?

3. Объяснить механизм возникновения запирающего слоя в p-n переходе.

4. Что происходит в p-n переходе при действии внешнего напряжения? Объяснить характер проводимости при прямом и обратном подключении p-n перехода. Какой ток больше прямой или обратный?

5. Объяснить ход вольт-амперной характеристики.

6. Как оценить из вольт-амперной характеристики высоту потенциального барьера и ток насыщения?

Литература

1. Савельев И.В. Курс общей физики. параграф 20.1, Т. 2 – М.: Наука. 1988, 496 с.

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 15