Студопедия

КАТЕГОРИИ:

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника



Свойства электронно-дырочного перехода




Читайте также:
  1. II. Жиры (ацилглицеролы). Их структура, классификация и свойства
  2. II.4. Классификация нефтей и газов по их химическим и физическим свойствам
  3. V. ОСНОВНЫЕ СВОЙСТВА ДЕЙСТВИЯ ВРЕМЕНИ
  4. А. Свойства и виды рецепторов. Взаимодействие рецепторов с ферментами и ионными каналами
  5. Алгоритм. Свойства алгоритма. Способы описания алгоритма. Примеры.
  6. Алгоритмы, их свойства и средства описания
  7. Аналитические свойства степенных рядов (непрерывность, интегрируемость, дифференцируемость)
  8. Анизотропия горных пород по электрическим свойствам
  9. Антигены и их свойства.
  10. БИЛЕТ 24. Понятие и свойства надежности

Чтобы понять, как работает транзистор, следует познакомиться со свойствами электронно-дырочного перехода (p-n и n-p). p-n переход представляет собой область внутри монокристалла полупроводника, возникающую на границе между двумя его частями с разным типом проводимости в следствии диффузии свободных электронов в p-область и дырок в n–область (рисунок 75.2). (Эти области в монокристалла акцепторных и донор примесей).

 

– свободнее дырки и электроны; – положительные и отрицательные ионы

 

Рисунок 75.2 p-n переход

 

При рекомбинации дырок и электронов в пограничном слое остающиеся положительные ионы доноров в n-области и отрицательные ионы акцепторов в p-области создают двойной электрический слой (p-n переход) с электрическим полем значительной величины, которое препятствуют дальнейшему перемещению через границу свободных дырок из p–области и электронов из n–области (его еще называют «запорным слоем»). Наличие в p-n переходе электрического поля приводит к тому, что в нем не могут задержаться свободные электроны и дырки, вследствие чего этот слой обеднен свободными носителями заряда и поэтому обладает большим электрическим сопротивлением.

Основным свойством p-n–перехода, обеспечивающим практический интерес к нему, является его односторонняя проводимость. Если при включении монокристалла с p-n- переходом в цепь внешнее поле будет совпадать по направлению с полем p-n – перехода (рисунок 75.3 а), напряженность поля в p-n–переходе увеличится, увеличивается его толщина и сопротивление. Поэтому ток в цепи будет пренебрежимо мал. Величина этого тока определяется не основными носителями зарядов: электронами в p - области и дырками в n - области.


 

а) включение в запорном направлении

б) включение в пропускном направлении

 

Рисунок 75.3

 

Если изменить полярность источника внешней ЭДС на противоположную, (рисунок 75.3 б), то внешнее поле скомпенсирует поле p-n – перехода, его сопротивление станет незначительным и в цепи потечет электрический ток достаточной величины:

 

 

где І0 – ток насыщения (обратный ток); U – величина приложенного напряжения; k – постоянная Больцмана; q – заряд электрона.



 


Дата добавления: 2015-02-10; просмотров: 12; Нарушение авторских прав







lektsii.com - Лекции.Ком - 2014-2021 год. (0.025 сек.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав
Главная страница Случайная страница Контакты