![]() КАТЕГОРИИ:
АстрономияБиологияГеографияДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Тиристоры. Тиристор – это полупроводниковый прибор, способный под действием сигнала переходить из закрытого состояния в открытоеТиристор – это полупроводниковый прибор, способный под действием сигнала переходить из закрытого состояния в открытое. Благодаря этому свойству тиристоры применяются в цепях коммутации высоких мощностей и импульсных схемах информационной электроники. Структура тиристора состоит из четырех областей полупроводника с чередующимся типом электропроводности, например n-p-n-p или p-n-p-n (рис. 12.9а). В такой структуре есть три выпрямляющих p-n перехода и три вывода. На рис. 12.9б показано схемное обозначение тиристора, где А – анод, К – катод, УЭ – управляющий электрод. Рассмотрим процессы, происходящие в тиристоре, при прямом включении (плюс к аноду, минус – к катоду) и нулевом управляющем напряжении При таком включении крайние p-n переходы открыты, а средний (базовый) – закрыт. Поэтому напряжение внешнего источника в основном падает на базовом переходе, а тиристор представляет собой диод при обратном включении. Поэтому и первый участок ВАХ тиристора (рис.12.9в) похож на обратную ветвь ВАХ диода.
Под действием приложенного напряжения дырки из р области эмиттера инжектируются в n базу и втягиваются полем базового перехода в р базу. Дальнейшему продвижению дырок препятствует небольшой потенциальный барьер коллекторного р-n перехода. Поэтому часть дырок задерживается и, скапливаясь, образует избыточный положительный заряд. Этот заряд понижает высоту потенциальных барьеров базового и коллекторного переходов, а также способствует увеличению инжекции электронов из n- области коллектора в р область базы. Поле потенциального барьера закрытого р-n перехода базы втягивает электроны в n –область базы. Скапливаясь, они также образуют избыточный заряд, снижающий потенциальные барьеры эмиттерного и базового р-n переходов. Величина избыточных зарядов в базовых областях тем больше, высота потенциального барьера на базовом переходе тем меньше, чем больше напряжение На практике включать тиристор "по аноду" для большинства типов тиристоров нежелательно из-за возможного повреждения прибора. Поэтому одну из базовых областей снабжают выводом, на который подают управляющее напряжение К основным параметрам тиристоров относится : -напряжение включения -максимально допустимый прямой ток ; -минимальный прямой ток через прибор в открытом состоянии; -управляющий ток отпирания; -управляющее напряжение отпирания; -максимально допустимая мощность и др. Тиристоры позволяют управлять большими токами. У некоторых типов тиристоров максимальный прямой ток достигает 5000 А, а значение напряжений в закрытом состоянии до 5 кВ.
|