Студопедия

КАТЕГОРИИ:

АстрономияБиологияГеографияДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника


Физико-технические основы процесса




 

Магнитно-импульсной называют разновидность электро-физико-химеской обработки, основанную на использовании импульсных магнитных полей большой силы для деформирования токопроводящих материалов. В проводя­щем обрабатываемом материале внешнее импульсное магнитное поле индуктирует соответствующий импульс тока, электромагнитное поле которого встречно взаимодействует с внешним магнитным полем. В результате этого создаются значительные механические усилия, используемые, в частности, для деформирования пластических ма­териалов.

 

Рис. 1 Схема распределения магнитно­го потока в рабочем витке при электро­магнитном формовании:

а, б — разрез цилиндрического токо­несущего витка, окружающего изоля­тор и проводник; е — применение пре­образователей поля для концентрации магнитной энергии и давления на двух поясах цилиндрической заготовки

 

 

На рис. I, а, б показано распределение магнитного потока в рабо­чем витке при электромагнитном формовании. При пропускании через виток (индуктор) 3 импульса тока большой силы в момент замыкания ключа /, разряжающего конденсатор 2 через виток, вокруг последнего возникает импульсное магнитное поле, силовые линии которого 5 взаимодействуют с любым объектом, помещаемым в это поле. Если объект (заготовка) изготовлен из диэлектрического материала 4, то силовые линии проходят через него без каких-либо явных взаимодей­ствий. Энергия поля возвращается в конденсатор, частично превра­щаясь в тепло.

Если объект изготовлен из токопроводящего материала, то на поверхности последнего наводятся (индуктируются) вихревые токи S, концентрирующие магнитное поле в пространстве между индуктором и поверхностью объекта. При отсутствии уравновешивающего давления изнутри объекта энергия этого поля уходит на механическое деформи­рование. Если необходимо осуществить местное деформирование, то поле перераспределяют, вводя в пространство между индуктором и за­готовкой металлические концентраторы 8 (преобразователи поля), создающие в "заготовке 7 участки (А) высокого давления (рис. 1,в). Давление (в МПа), развиваемое на поверхности деформируемой заготовки,

, (1)

где В — максимальное значение индукции, Гс.

Скорость деформации заготовки

, (2)

где ρ — плотность материала заготовки, г/см3. Энергия магнитного поля, зависящая от индуктивности катушки (витка) L и силы тока / в ней:

расходуется на механическую работу деформирования заготовки и ее нагрев.

Повышение температуры поверхности формуемой заготовки

, (3)

где cv — удельная теплоемкость.

При магнитноимпульсной обработке длительность разрядного импульса выбирают такой, чтобы глубина проникновения магнитного поля в деформируемую заготовку была меньше толщины последней.

Если импульс будет чрезмерно длительным, то потребуются мощ­ные источники тока для создания необходимой напряженности магнит­ного поля, а между металлической матрицей (моделью) и заготовкой успевает образоваться магнитная подушка, которая создает обратное давление на заготовку и не дает ей принять точную форму матрицы. Глубина h проникновения магнитного поля в металл не должна превы­шать толщины стенки заготовки. Она определяется из выражения

, (3)

 

где ρэл — удельное электрическое сопротивление металла; tимп — длительность полуцикла импульса.

Пренебрегая потерями энергии магнитного поля на нагрев заго­товки, можно определить время, необходимое для развития деформации стенки трубы на величину ε:

, (4)

где – скорость, сообщаемая стенкам при деформации, равной толщине стенок δ.

, (5)

где ρ — плотность материала заготовки.

Максимально допустимое время τм. д можно определить из формул: для металлических матриц —

, (5)

для матриц из непроводящего ток материала

, (6)

где R — радиус поперечного сечения трубы; ρэл — удельное электри­ческое сопротивление материала.

 

Рис.2. Принципиальная схе­ма конденсаторного генера­тора импульсов: С—емкост­ной накопитель; Rз – заряд­ное сопротивление;
Rн — сопротивление нагрузки;
ФП — формирующий про­межуток; АТр — автотран­сформатор;
Тр — трансфор­матор;
В — выпрямитель

Рис. 3. Принципиальные схемы генераторов импульс­ных токов:

а — с трансформатором в цепи питания; б — с авто­трансформатором в цепи питания; в — с емкостным сопротивлением (кон­денсатором) в сетевой цепи; АТр —автотрансформатор сетевого питания; Тр — повышающий трансформатор; В — выпрямитель; Rз — сопротивление в цепи заряда; С0 — емкость в сетевой цепи; Си — конденсатор рабочий импульсный высоковольтный; Сф — конденсатор фильтра

Значение τдеф должно быть меньше значения и . Это условие определяет минимальный размер детали, которая может де­формироваться в данном магнитном поле.

Для проводящих материалов с повышенным электрическим со­противлением, например для высоколегированной стали, деформация трубок диаметром менее 10 мм становится затруднительной, поэтому

. (7)

Затраты энергии на выполнение механической работы и создание магнитного потока, действующего в качестве рабочей среды, примерно равны между собой и определяются по формуле

, (8)

где S — площадь поверхности образца.

При τдеф τм. д затратами на джоулево тепло можно пренебречь. Энергия, идущая на нагрев,

. (9)

Общее количество энергии, необходимой для деформации заго­товки, складывается из количества энергии на механическую работу по деформации заготовки, энергии магнитного поля и энергии, расхо­дующейся на выделяемое джоулево тепло. Индукции магнитных полей, требуемых для электромагнитного формообразования, лежат практи­чески в пределах от 200 кГс до 1 МГс. Для конкретных индукторов при поле в 300 кГс можно получить импульсное давление 350 МПа, а при поле 1 МГс 3500—4000 МПа.

Длительность импульса в применяемых схемах выбирают в пре­делах 10—20 мкс.

Мощные кратковременные импульсы тока, необходимые для по­лучения мощных импульсных магнитных полей при магнитноимпульсной обработке, получают с помощью генераторов импульсных токов. Наиболее распро­страненными являются генераторы импульсных токов с емкостными накопителями энергии (конденсаторами).

Принципиальная схема конденсаторного генератора импульсных токов показана на рис. 2.

Батарея конденсаторов С заряжается постоянным током через зарядное сопротивление Rзар до определенного напряжения Uзар, а затем разряжается через разрядный (формирующий) промежуток на сопротивление нагрузки Rн. Энергия, выделяемая в нагрузке, используется для технологических целей. Формирующий промежуток необходим для обеспечения кратковременности разряда (ограниче­ния длительности импульса).

На рис. 3 показаны принципиальные схемы генераторов импульсных токов. Ниже приведены основные зависимости, определяющие их работу.

Частота следования импульсов

, (10)

где - зарядное сопротивление; С – ёмкость конденсатора; - напряжение начала разряда; - начальное напряжение.

Зарядное сопротивление при работе генератора импульсного тока в режиме единичных импульсов

, (11)

где - зарядное напряжение; - допустимый ток выпрямителя.

С учётом частоты импульсов мощность источника питания постоянным током

, (12)

где – мощность, накапливаемая в зарядном контуре (t – время между разрядами); η – КПД зарядного контура (обычно ~0,5).

Магнитно-импульсная обработка находит применение для выполнения разнообразных операции, связанных с деформированием материалов.

 


Поделиться:

Дата добавления: 2014-11-13; просмотров: 173; Мы поможем в написании вашей работы!; Нарушение авторских прав





lektsii.com - Лекции.Ком - 2014-2024 год. (0.006 сек.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав
Главная страница Случайная страница Контакты