КАТЕГОРИИ:
АстрономияБиологияГеографияДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Физико-технические основы процесса
Магнитно-импульсной называют разновидность электро-физико-химеской обработки, основанную на использовании импульсных магнитных полей большой силы для деформирования токопроводящих материалов. В проводящем обрабатываемом материале внешнее импульсное магнитное поле индуктирует соответствующий импульс тока, электромагнитное поле которого встречно взаимодействует с внешним магнитным полем. В результате этого создаются значительные механические усилия, используемые, в частности, для деформирования пластических материалов.
Рис. 1 Схема распределения магнитного потока в рабочем витке при электромагнитном формовании: а, б — разрез цилиндрического токонесущего витка, окружающего изолятор и проводник; е — применение преобразователей поля для концентрации магнитной энергии и давления на двух поясах цилиндрической заготовки
На рис. I, а, б показано распределение магнитного потока в рабочем витке при электромагнитном формовании. При пропускании через виток (индуктор) 3 импульса тока большой силы в момент замыкания ключа /, разряжающего конденсатор 2 через виток, вокруг последнего возникает импульсное магнитное поле, силовые линии которого 5 взаимодействуют с любым объектом, помещаемым в это поле. Если объект (заготовка) изготовлен из диэлектрического материала 4, то силовые линии проходят через него без каких-либо явных взаимодействий. Энергия поля возвращается в конденсатор, частично превращаясь в тепло. Если объект изготовлен из токопроводящего материала, то на поверхности последнего наводятся (индуктируются) вихревые токи S, концентрирующие магнитное поле в пространстве между индуктором и поверхностью объекта. При отсутствии уравновешивающего давления изнутри объекта энергия этого поля уходит на механическое деформирование. Если необходимо осуществить местное деформирование, то поле перераспределяют, вводя в пространство между индуктором и заготовкой металлические концентраторы 8 (преобразователи поля), создающие в "заготовке 7 участки (А) высокого давления (рис. 1,в). Давление (в МПа), развиваемое на поверхности деформируемой заготовки, , (1) где В — максимальное значение индукции, Гс. Скорость деформации заготовки , (2) где ρ — плотность материала заготовки, г/см3. Энергия магнитного поля, зависящая от индуктивности катушки (витка) L и силы тока / в ней: расходуется на механическую работу деформирования заготовки и ее нагрев. Повышение температуры поверхности формуемой заготовки , (3) где cv — удельная теплоемкость. При магнитноимпульсной обработке длительность разрядного импульса выбирают такой, чтобы глубина проникновения магнитного поля в деформируемую заготовку была меньше толщины последней. Если импульс будет чрезмерно длительным, то потребуются мощные источники тока для создания необходимой напряженности магнитного поля, а между металлической матрицей (моделью) и заготовкой успевает образоваться магнитная подушка, которая создает обратное давление на заготовку и не дает ей принять точную форму матрицы. Глубина h проникновения магнитного поля в металл не должна превышать толщины стенки заготовки. Она определяется из выражения , (3)
где ρэл — удельное электрическое сопротивление металла; tимп — длительность полуцикла импульса. Пренебрегая потерями энергии магнитного поля на нагрев заготовки, можно определить время, необходимое для развития деформации стенки трубы на величину ε: , (4) где – скорость, сообщаемая стенкам при деформации, равной толщине стенок δ. , (5) где ρ — плотность материала заготовки. Максимально допустимое время τм. д можно определить из формул: для металлических матриц — , (5) для матриц из непроводящего ток материала , (6) где R — радиус поперечного сечения трубы; ρэл — удельное электрическое сопротивление материала.
Рис.2. Принципиальная схема конденсаторного генератора импульсов: С—емкостной накопитель; Rз – зарядное сопротивление; Рис. 3. Принципиальные схемы генераторов импульсных токов: а — с трансформатором в цепи питания; б — с автотрансформатором в цепи питания; в — с емкостным сопротивлением (конденсатором) в сетевой цепи; АТр —автотрансформатор сетевого питания; Тр — повышающий трансформатор; В — выпрямитель; Rз — сопротивление в цепи заряда; С0 — емкость в сетевой цепи; Си — конденсатор рабочий импульсный высоковольтный; Сф — конденсатор фильтра Значение τдеф должно быть меньше значения и . Это условие определяет минимальный размер детали, которая может деформироваться в данном магнитном поле. Для проводящих материалов с повышенным электрическим сопротивлением, например для высоколегированной стали, деформация трубок диаметром менее 10 мм становится затруднительной, поэтому . (7) Затраты энергии на выполнение механической работы и создание магнитного потока, действующего в качестве рабочей среды, примерно равны между собой и определяются по формуле , (8) где S — площадь поверхности образца. При τдеф τм. д затратами на джоулево тепло можно пренебречь. Энергия, идущая на нагрев, . (9) Общее количество энергии, необходимой для деформации заготовки, складывается из количества энергии на механическую работу по деформации заготовки, энергии магнитного поля и энергии, расходующейся на выделяемое джоулево тепло. Индукции магнитных полей, требуемых для электромагнитного формообразования, лежат практически в пределах от 200 кГс до 1 МГс. Для конкретных индукторов при поле в 300 кГс можно получить импульсное давление 350 МПа, а при поле 1 МГс 3500—4000 МПа. Длительность импульса в применяемых схемах выбирают в пределах 10—20 мкс. Мощные кратковременные импульсы тока, необходимые для получения мощных импульсных магнитных полей при магнитноимпульсной обработке, получают с помощью генераторов импульсных токов. Наиболее распространенными являются генераторы импульсных токов с емкостными накопителями энергии (конденсаторами). Принципиальная схема конденсаторного генератора импульсных токов показана на рис. 2. Батарея конденсаторов С заряжается постоянным током через зарядное сопротивление Rзар до определенного напряжения Uзар, а затем разряжается через разрядный (формирующий) промежуток на сопротивление нагрузки Rн. Энергия, выделяемая в нагрузке, используется для технологических целей. Формирующий промежуток необходим для обеспечения кратковременности разряда (ограничения длительности импульса). На рис. 3 показаны принципиальные схемы генераторов импульсных токов. Ниже приведены основные зависимости, определяющие их работу. Частота следования импульсов , (10) где - зарядное сопротивление; С – ёмкость конденсатора; - напряжение начала разряда; - начальное напряжение. Зарядное сопротивление при работе генератора импульсного тока в режиме единичных импульсов , (11) где - зарядное напряжение; - допустимый ток выпрямителя. С учётом частоты импульсов мощность источника питания постоянным током , (12) где – мощность, накапливаемая в зарядном контуре (t – время между разрядами); η – КПД зарядного контура (обычно ~0,5). Магнитно-импульсная обработка находит применение для выполнения разнообразных операции, связанных с деформированием материалов.
|