ДТЛ элемент со сложным инвертором.

Через тр-р Т3 разряжается емкость нагрузки при установление элемента в 0.

Тр-р Т2 для быстрого заряда нагрузочной емкости при переходе ЛЭ в состояние логической 1 на выходе. Он у нас как эмитерный повторитель и имеет малое сопротивление когда включен, впрочем как и Т3.

Диод связи обеспечивает закрытое состояние Т2 когда открыт Т3.

Rогр. для предотвращения выхода из строя T2 при КЗ выхода на землю.

(ток) I1 = (Eп – Ua)/R1; Ua = Uл0 + Uд.пр = 0.1 + 0.7.

Напряжения в 0.1В на базе Т1 не достаточно для его открытия и открытия T3, поэтому они закрыты и работают в режиме отсечки.

Эмитерный повторитель всегда работает в активном режиме. Он не входит в режим насыщения т.к. у него отсутствует сопротивление в цепи коллектора. У тр-ра в активном режиме коэф. усиления бета равен приблизительно 100. А ток коллектора равен бета умножить на ток базы (ток коллектора в 100 раз больше тока базы).

Сложный инвертор представляет собой двухтактный усилитель мощности на транзисторах, работающих в ключевом режиме. Применение сложного инвертора позволяет не только повысить нагрузочную способность микросхемы, но и сохраняет ее высокую помехоустойчивость, так как эмиттерный переход транзистора Tj выполняет роль смещающего диода. Схема работает следующим образом. При низком уровне хотя бы одного входного сигнала транзистор . закрыт. Состояние транзистора определяется состоянием транзистора Ti. при закрытом транзисторе транзистор также будет закрыт, а составной транзистор (Т3 -- открыт. Однако в элементе ДТЛ со сложным инвертором при переключении в цепи Tj-Тз возникают броски тока, создающие заметные помехи по цепи питания. Для устранения этого явления включают токоограничивающий резистор R.

Учитывая широкое распространение схем со сложным инвертором в схемах малого и среднего уровня интеграции, рассмотрим в отдельном разделе достоинства и недостатки схемы.

К недостаткам схемы следует отнести:

1. Большое количество компонентов: транзисторов и резисторов.

2. Наличие бросков токов тока во время переключения, служащих источником помех по цепям питания.

3. Значительное потребление мощности в время переключения схемы, которое растёт с ростом частоты переключения элемента.

Достоинства.

1. Повышенная помехоустойчивость за счёт падения напряжения на переходе база-эмиттер транзистора VT1.

2. Повышенная нагрузочная способность, получаемая за счёт усиления по току каскада, собранного на транзистор VT1.

3. Малая потребляемая мощность в статическом режиме работы схемы.

4. Хорошая работа на большую ёмкостную нагрузку.