КАТЕГОРИИ:
АстрономияБиологияГеографияДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
ЗАДАЧА 4
Построить график зависимости чувствительности фотодетектора от длины волны оптического излучения по данным таблицы. Используя график и данные таблиц определить величину фототока на выходе p-i-n фотодиода. По графику определить длинноволновую границу чувствительности фотодетектора. Определить материал для изготовления прибора. Исходные данные:
Решение:
Рис.18. Определяем величину фототока на выходе p-i-n фотодиода. мкА; Здесь Еф – энергия фотона, Дж/с; h - постоянная Планка, с – скорость света, где е = 1,6×10-19 Кл – заряд электрона; = 0,5 – внутренняя квантовая эффективность фотодиода. Определим чувствительность фотодетектора: А/Вт. Определим длинноволновую границу чувствительности фотодетектора: мкм, где Eg = 0,73 эВ – ширина запрещённой зоны полупроводникового материала, в нашем случае GaSb (германия).
|