БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ.

В большую «семью» полупроводниковых приборов, называемых транзисторами входят два вида: биполярные и полевые. Первые из них, чтобы как-то отличить от вторых, часто называют обычными транзисторами. Биполярные транзисторы используют наиболее широко.

В упрощенном виде биполярный транзистор представляет собой пластину полупроводника с тремя чередующимися областями разной электропроводности. Две крайние области обладают электропроводностью одного типа, среднее - электропроводностью другого типа. У каждой области свой контактный вывод.

Общую (среднюю) область транзистора называют базой, а одну крайнюю область - эмиттером, вторую крайнюю область - коллектором. Это три электрода транзистора. Во время работы транзистора его эмиттер вводит (эмитирует) в базу дырки или электрона, коллектор собирает эти электрические заряды, вводимые в базу эмиттером.

Электронно-дырочные переходы в транзисторе могут быть получены также, как в плоскостных диодах. Чтобы изготовить транзистор берут тонкую пластину германия с электронной электропроводностью и наплавляют на ее поверхность кусочки индия. Атомы индия диффундируют (проникают) в тело пластины. Между ними остается очень тонкая (несколько микрон) прослойка полупроводника. Транзисторы, изготовляемые по такой технологии, называют сплавными.

Прибор собран на металлическом диске диаметром не менее 10 мм. Сверху к этому диску приварен кристаллодержатель, являющийся внутренним выводом базы, а снизу - ее наружный проволочный вывод. Внутренние выводы коллектора и эмиттера приварены к проволочкам, которые впаяны в стеклянные изоляторы и служат внешними выводами этих электродов. Цельнометаллический колпак защищает прибор от механических повреждений и влияния света. Так устроены наиболее распространенные маломощные низкочастотные транзисторы серии МП39, МП40, МП41, МП42 и их разновидности. Буква М в обозначении говорит о том, что корпус транзистора холодносварной, буква П - первоначальная буква слова «плоскостной», а цифры - порядковые заводские номера приборов. В конце обозначения могут быть буквы А, Б, В (например, МП39Б), указывающие разновидность транзистора данной серии.

Существуют другие способы изготовления транзисторов, например диффузионно-сплавной. Коллектором транзистора изготовленного по такой технологии, служит пластина исходного полупроводника. На поверхность пластины наплавляют очень близко один от другого два маленьких шарика примесных элементов. Во время нагрева до строго определенной температуры происходит диффузия примесных элементов в пластинку полупроводника. При это один шарик образует в коллекторе тонкую базовую область, а второй эмиттерную область. По такой технологии изготовляют, в частности, наиболее массовые маломощные высокочастотные транзисторы серии П401 - П403, П422, П423, ГТ308.

В настоящее время действует система обозначения транзисторов, по которой выпускаемые серийно приборы имеют обозначения, состоящие из четырех элементов, например: ГТ109А, КТ315В, ГТ403И. Первый элемент этой системы обозначения - буква Г,К, или А (или цифра 1,2 и 3) - характеризуют полупроводниковый материал транзистора и температурные условия работы прибора. Буква Г (или цифра 1) присваивается германиевым транзисторам, буква К (или цифра 2) - кремниевым транзисторам, буква А (или цифра 3) - транзисторам, полупроводниковым материалом которых служит арсенид галлия. Цифра, стоящая вместо буквы, указывает на то, что данный транзистор может работать при повышенных температурах (германиевый - выше +60°С, кремниевый - выше +85°С).

Второй элемент - буква Т - начальная буква слова «транзистор».

Третий элемент - трехзначное число от 101 до 999 - указывает порядковый номер разработки и назначения прибора.

Четвертый элемент обозначения - буква, указывающая разновидность транзисторов данной серии.

ПРИЛОЖЕНИЕ 3