Предварительный выбор транзистора

1.1. Определяется амплитуда тока нагрузки (I_нm):

Р_вых = 0,5U_{m вых}I_нm= 0,5U_кэmI_нm = 0,5I²_нm R_н .

.

1.2. Определяется амплитуда тока коллектора (I_кm):

.

.

.

На практике R_к = (0,2…0,4)R_н , поэтому амплитуда тока коллектора составляет:

.

1.3. Определяется постоянная составляющая тока коллектора:

На практике .

Увеличение постоянной составляющей тока коллектора ведет к увеличению потребляемой мощности от источника питания и к снижению КПД.

Уменьшение постоянной составляющей тока коллектора ведет к увеличению нелинейных искажений.

1.4. Определяется допустимый (предельный) ток коллектора (I_{к доп (пред)}):

.

1.5. Определяется амплитуда выходного напряжения U_{вых m} = U_кэm:

.

.

1.6. Определяется постоянная составляющая коллекторного напряжения (U_кэп):

U_кэп = (1,2…1,4)U_кэm .

Пределы выбраны из условия исключения режимов насыщения и отсечки, т.е. исключения нелинейных искажений.

1.7. Определяется напряжение источника питания коллекторной цепи транзистора Е_к.

;

1.8. Определяется допустимое (предельное) напряжение между коллектором и эмиттером(U_{кэ доп (пред)}):

.

По значению I_{к доп} и U_{кэ доп} осуществляется предварительный выбор транзистора с использованием справочной литературы.