Студопедия

КАТЕГОРИИ:

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника



Увеличение разрядности микросхем памяти. Структура памяти на основе блочной схемы.




Читайте также:
  1. A) Результат вычисления формулы на основе имеющихся данных
  2. A) увеличением забора воды на орошение из Амударьи и Сырдарьи
  3. Bonpoс 19 Сплавы на основе алюминия и магния. Свойства и области применения.
  4. II. Состав, порядок определения баллов оценки качественных критериев и оценки эффективности на основе качественных критериев
  5. II. Структура Системы сертификации ГОСТ Р и функции ее участников
  6. III. Примерная структура фронтального занятия.
  7. III. Состав, порядок определения баллов оценки и весовых коэффициентов количественных критериев и оценки эффективности на основе количественных критериев
  8. PR в государственных структурах и ведомствах. PR в финансовой сфере. PR в коммерческих организациях социальной сферы (культуры, спорта, образования, здравоохранения)
  9. V. Композиционная (склеенная) кожа на основе натуральной кожи или кожаных волокон (товарная позиция 4115).
  10. Адресация пространства памяти AVR-контроллера

Для реализации основной памяти большого объема (что актуально в современных вычислительных машинах) возникает необходимость объединения нескольких интегральных микросхем запоминающих устройств.

Рисунок 2 – Увеличение разрядности памяти

Увеличение разрядности ЗУ реализуется за счет объединения адресных входов объединяемых интегральных микросхем запоминающих устройств. Информационные входы и выходы микросхем являются входами и выходами модуля ЗУ увеличенной разрядности (рисунок 2). В общем случае основная память микропроцессорной системы всегда имеет блочную структуру, т.е. содержит несколько банков.

Рисунок 3 – Структура памяти на основе блочной схемы

Рассмотрим блочную структуру памяти на примере памяти емкостью 512 слов, построенной из четырех банков по 128 слов в каждом. Типовая структура памяти на основе блочной схемы показана на рисунке 3. Адресное пространство памяти разбито на группы последовательных адресов, и каждая такая группа обеспечивается отдельным банком памяти. Для обращения к основной памяти используется 9-разрядный адрес, семь младших разрядов которого (А6-А0) поступают параллельно на все банки памяти и выбирают в каждом из них одну ячейку. Два старших разряда адреса (А8, А7) содержат номер банка. Выбор банка обеспечивается либо с помощью дешифратора номера банка памяти, либо путем мультиплексирования информации (на рисунке 3 показаны оба варианта). В функциональном отношении такая основная память может рассматриваться как единое ЗУ, емкость которого равна суммарной емкости составляющих, а быстродействие - быстродействию отдельного банка.

 


Дата добавления: 2015-04-18; просмотров: 7; Нарушение авторских прав







lektsii.com - Лекции.Ком - 2014-2021 год. (0.012 сек.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав
Главная страница Случайная страница Контакты