Объясните особенности классификации транзисторов и технологических методов их изготовления.

Для обозначения исходного материала используются следующие символы:Г, или 1, – германий или его соединения; К, или 2, – кремний или его соединения; А, или 3, – соединения галлия (арсенид галлия); И, или 4, – соединения индия.

Для обозначения подклассов используется одна из двух букв: Т – биполярные и П – полевые транзисторы.

Для обозначения наиболее характерных эксплуатацион­ных признаков транзисторов применяются следующие цифры:

для транзисторов малой мощности (максимальная мощ­ность, рассеиваемая транзистором, не более 0,3 Вт):

1 – с граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой (далее гранич­ной частотой) не более 3 МГц;

2-е граничной частотой 3...30 МГц;

3 – с граничной частотой более 30 МГц;

для транзисторов средней мощности (0,3…1,5 Вт):

4 – с граничной частотой не более 3 МГц;

5 – с граничной частотой 3…30 МГц;

6 – с граничной частотой более 30 МГц;

для транзисторов большой мощности (более 1,5 Вт):

7 – с граничной частотой не более 3 МГщ;

8 – с гранично частотой 3…30 МГц;

9 – с гранично частотой более 30 МГц.

Для обозначения порядкового номера разработки используют двузначное число от 01 до 99. Если порядковый номер разработки превышает число 99, то применяется трехзначное число от 101 до 999.

В качестве классификационной литеры применяются буквы русского алфавита (за исключением 3, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Ю, Ь, Ъ, Э).

Стандарт предусматривает также введениее в обозначение ряда дополнительных знаков. В качестве дополнительных элементов обозначения используют следдухщие символы:

цифры от 1 до 9 – для обозначения моощернизаций транзистора, приводящих к измененною его конст­рукции или электрических параметров;

буква С – для обозначения наборов в обшцем корпусе (транзисторные сборки);

цифра, написанная через дефис, для бе.х корпусных транзисторов:

1 – с гибкими выводами без кристаллодедвжагеля;

2 – с гибкими выводами на крнсталдодермипеле; - с жесткими выводами без кристаллоде.ержателя;

4 – с жесткими выводами на кристаллодержателе;

5 – с контактными площадками без крис-таллодержа-теля и без выводов;

6 – с контактными площадками на кристгшлсдержате-ле, но без выводов.

КТ937А-2 – кремниевый биполярный, большой мощности, высокочастотный, номер разработки 37, группа А, бескорпусный, с гибкими выводами на кристаллодержа-геле.

Первый элемент (цифра или буква) обозначает исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор, второй элемент (буква) определяет подкласс (или группу) транзисторов, третий (цифра) – основные функциональные возможности транзистора, четвертый (число) – обозначает порядковый номер разработки технологического типа транзистора, пятый (буква) – условно определяет классификацию по параметрам транзисторов, изготовленных по единой технологии.