Студопедия

КАТЕГОРИИ:

АстрономияБиологияГеографияДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника


Тема: Биполярные транзисторы. 5. Статические характеристики биполярных транзисторов.




Занятие № 16.

5. Статические характеристики биполярных транзисторов.

Графические зависимости между токами и напряжениями на входе и выходе транзистора, называются статическими характеристиками транзистора. Наиболее распространены входные и выходные статические характеристики для двух схем включения с ОБ и ОЭ. На рис. 1а входная статическая характеристика для схемы с ОБ: при UКБ=const. Они аналогичны прямой ветви ВАХ р-n перехода. Электрическое поле, создаваемое напряжением UКБ почти полностью сосредоточено в коллекторном переходе и незначительно влияет на прохождение носителей зарядов через эмиттерный переход. Поэтому при входные характеристики практически сливаются. На рис. 1б выходные характеристики транзистора для схемы с ОБ: при IЭ=const. При обратном напряжении на коллекторе, ток через коллекторный переход создается лишь за счет диффузии носителей зарядов, проникающих из эмиттера через базу в коллектор, и слабо зависит от напряжения UКБ приложенного к коллекторному переходу. Поэтому выходные характеристики практически параллельны оси абсцисс. При IЭ=0 через коллекторный переход протекает обратный ток коллекторного перехода. При смене полярности напряжения UКБ, коллекторный переход начинает работать в прямом направлении. Ток через него резко возрастает и идет в направлении обратном нормальному рабочему току. Поэтому рабочий ток IК резко уменьшается и достигает нуля при значениях UКБ порядка десятых долей вольта.

На рис. 2а приведены статические входные характеристики для схемы с ОЭ: при UКЭ=const. С увеличением обратного напряжения UКЭ на коллекторном переходе, уменьшается вероятность рекомбинации носителей заряда в базе, т.к. все они быстро втягиваются в коллектор. Поэтому с увеличением UКЭ, ток IБ уменьшается. На рис. 2б статические выходные характеристики транзистора в схеме с ОЭ: при IБ=const.

Из рис. 3 видно, что к коллекторному переходу приложено напряжение UКЭ-UБЭ, т.к. эти напряжения между точками коллектор-база включены встречно. При коллекторный переход оказывается включенным в прямом направлении. Поэтому крутизна выходных характеристик на участке от UКЭ=0 до велика. На участке крутизна характеристик уменьшается, они идут почти параллельно оси абсцисс. Положение каждой из выходных характеристик, главным образом зависит от величины тока базы.

 


Поделиться:

Дата добавления: 2015-09-13; просмотров: 72; Мы поможем в написании вашей работы!; Нарушение авторских прав





lektsii.com - Лекции.Ком - 2014-2024 год. (0.007 сек.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав
Главная страница Случайная страница Контакты