Классификация. · В p-i-n структуре средняя i-область заключена между двумя областями противоположной проводимости

· p-i-n фотодиод

· В p-i-n структуре средняя i-область заключена между двумя областями противоположной проводимости. При достаточно большом напряжении оно пронизывает i-область, и свободные носители, появившееся за счет фотонов при облучении, ускоряются электрическим полем p-n переходов. Это дает выигрыш в быстродействии и чувствительности. Повышение быстродействия в p-i-n фотодиоде обусловлено тем, что процесс диффузии заменяется дрейфом электрических зарядов в сильном электрическом поле. Уже при Uобр≈0.1. В p-i-n фотодиод имеет преимущество в быстродействии.

Достоинства:

1) Есть возможность обеспечения чувствительности в длинноволновой части спектра за счет изменения ширины i-области.

2) Высокая чувствительность и быстродействие.

3) Малое рабочее напряжение Uраб.

Недостатки:

1) Сложность получения высокой чистоты i-области

· Фотодиод Шоттки (фотодиод с барьером Шоттки).

Структура металл-полупроводник. При образовании структуры часть электронов перейдет из металла в полупроводник p-типа.

· Лавинный фотодиод

· В структуре используется лавинный пробой. Он возникает тогда, когда энергия фотоносителей превышает энергию образования электронно-дырочных пар. Очень чувствительны. Для оценки существует коэффициент лавинного умножения М.

Для реализации лавинного умножения необходимо выполнить два условия:

• электрическое поле E области пространственного заряда должно быть достаточно большим, чтобы на длине свободного пробега λ электрон набрал энергию большую, чем ширина запрещенной зоны Eg:

qEλ > 3/2 Eg

• ширина области пространственного заряда W должна быть существенно больше, чем длина свободного пробега λ:

W >> λ.

Значение коэффициентов внутреннего усиления составляет M=10-100 в зависимости от типа фотодиодов.

· Фотодиод с гетероструктурой

Гетеропереходом называют слой, возникающий на границе двух полупроводников с разной шириной запрещённой зоны. Один слой р⁺ играет роль «приёмного окна». Заряды генерируются в центральной области. За счет подбора полупроводников с различной шириной запрещённой зоны можно перекрыть весь диапазон длин волн. Недостаток — сложность изготовления.

Фотодиод, работа которого основана на фотовольтаическом эффекте, называется солнечным элементом. Кроме p-n фотодиодов, существуют и p-i-n фотодиоды, в которых между слоями p- и n- находится слой нелегированного полупроводника i. p-n и p-i-n фотодиоды только преобразуют свет в электрический ток, но не усиливают его, в отличие от лавинных фотодиодов и фототранзисторов.