Биполярные транзисторы.

Рис. 3.1. Устройство транзисторов.

Рис. 3.2. Обозначения тран– зисторов на схемах. Назва– ния выводов.

Рис. 3.3. Входные характеристики транзистора.

Рис. 3.4. Выходные характери– стики транзистора.

Это полупроводниковые приборы с двумя p–n переходами. Они работают как усилители тока. С помощью других элементов их можно использовать для выполнения различных функций, например, для усиления напряжений.

Биполярные транзисторы бывают p–n–p и n–p–n типа – в зависимости от того, какие полупроводники используются в качестве базы, эмиттера и коллектора (рис. 3.1, 3.2). Транзисторы n–p–n типа применяются чаще. На схемах транзисторы иногда рисуют без кружка (рис.8.1).

В нормальном режиме работы переход коллектор–база смещен в обратном направлении (полностью или частично закрыт), а переход эмиттер–база смещен в прямом направлении (открыт). Сопротивление перехода коллектор–база сильно зависит от тока базы.

Работу транзистора можно приближенно описать уравнением

,

где β – коэффициент передачи по току. У мощных транзисторов это число порядка десятков, у маломощных может доходить до нескольких тысяч. Типичное значение β порядка нескольких сотен.

Основные параметры транзисторов: номинальное напряжение коллектор–эмиттер, максимальный ток коллектора, номинальная мощность, коэффициент передачи по току.