Электронно-дырочный переход.

При соединении материалов с электронной и дырочной проводимостью, пограничные электроны пересекают границу, занимая места дырок (а их места занимают дырки), и образуя устойчивый запирающий слой,который называетсяр-n переход.

Прим. На самом деле электронно-дырочный переход получают не простым соединением полупроводников с разным типом проводимости, а введением соответствующих примесей различными технологическими способами в левую и правую части исходного чистого кристалла. Для полупроводниковых приборов используют монокристаллы кремния и германия, имеющие высокую степень чистоты.

Если приложить напряжение полярностью, совпадающей с полярностью запирающего слоя (т.е. «+» к n– области, а «–» к р– области), то запирающий слой будет «расти», препятствуя движению электронов к «плюсу» т.е. прохождению тока. Такое включение называют обратным.

При изменении полярности, т.е. если она не совпадает с полярностью запирающего слоя («+» к р-области, «–» к n -области), запирающий слой будет «таять», переставая быть препятствием для тока. Такое включение называют прямым.