Классификация и обозначение полупроводниковых приборов (ППП).

ППП – это приборы, действие которых основано на использовании свойств полупроводников (простые – германий Ge, кремний Si, селен, сложные – арсенид Ga, фосфид Ga и др.).

Для придания полупроводнику электропроводимости – электронной или дырочной, его легируют (т.е. в чистые полупроводники вносят примеси: элементы III гр. (In-индий), создают дырочную проводимость, V гр. (P-фосфор) – электронную проводимость).

Т.о., основные значения для работы ППП имеет электронно-дырочный переход, который называют p-n переходом (область на границе двух полупроводников, один из которых имеет электронную, а другой – дырочную электропроводимость).

Разность потенциалов Dj – высота потенциального барьера.

Если приложить U, то потечет электрический ток. (I_обр или I_пр).

Свойства полупроводников и характеристики p-n перехода используют в двух электродных ППП – ПП резисторах и диодах, в более сложных – транзисторах и тиристорах (взаимодействие нескольких p-n переходов).

Общетехнические и экономические характеристики ППП.

Это:

1). Масса – невелика, в основном это масса корпуса и выводов:

- маломощных 0,01 – 0,1г; 1 – 10г в металлическом корпусе;

- мощных диодов, транзисторов, тиристоров 0,1 – 0,5кг;

2). Механическая прочность – довольно высока, выдерживают вибрационные ускорения до 100g и даже удары с ускорением до 500g.

3). Рабочие t⁰

- для Ge приборов от – 40⁰ до – 60⁰С.

+ 40⁰ до + 80⁰С.

- для Si приборов верхний предел от + 100⁰С до + 150⁰С.

4). Надежность – время безотказной роботы от 10⁵ до 10⁷ ч.

5). Давление окружающего воздуха от 7*10² до 3*10⁵ Па.

6). Стоимость при массовом изготовлении – весьма низкая.