Требования к результатам освоения содержания дисциплины. Процесс изучения дисциплины направлен на формирование следующих компетенций в соответствии с ФГОС ВПО

Процесс изучения дисциплины направлен на формирование следующих компетенций в соответствии с ФГОС ВПО, примерной и вузовской ООП ВПО, по данному направлению подготовки (специальности):

а) общекультурных (ОК): начальные навыки стремления к самостоятельной работе и саморазвитию (ОК-6); способность к повышению своей квалификации и мастерства, способность осознавать социальную значимость своей будущей профессии, обладать высокой мотивацией к выполнению профессиональной деятельности (ОК-8)

б) профессиональных (ПК): готовность понимать и учитывать современные тенденции развития электроники и радиоэлектроники, измерительной и вычислительной техники, информационных технологий в своей профессиональной деятельности; готовность получить и освоить профессиональные знания по электронике в целом и основным электронным полупроводниковым компонентам и приборам. (ПК-3);

В результате освоения дисциплины обучающийся студент должен:

Знать: историю, современное состояние и тенденции развития, подходы к классификации электронных средств; элементы физических основ полупроводниковых материалов и приборов; принципы действия, элементную базу современных электронных устройств: структуру, принцип работы, характеристики полупроводниковых приборов, схемы их замещения и параметры;

полупроводниковые излучатели, детекторы и датчики; индикаторные приборы;

методы и средства автоматизированного измерения параметров и характеристик электронных компонент

Уметь: определять и измерять параметры и характеристики современных электронных приборов; использовать методы и средства автоматизированного измерения параметров и характеристик электронных компонент; осуществлять оптимальный выбор современной элементной электронной базы для моделирования и использования в электронных схемах на ЭВМ; исследовать и составлять схемы включения, строить вольтамперные характеристики (ВАХ), проводить расчет статического режима и определять основные параметры полупроводниковых приборов; анализировать процессы и рассчитывать простые схемы на основе полупроводниковых приборов; анализировать частотные и временные свойства полупроводниковых приборов по схемам замещения и определять их h – параметры и S-параметры

Владеть: навыками расчета несложных электронных цепей; способами оценки характеристик и параметров электронных компонент при различных воздействиях, методами работы с интерфейсами основных программных продуктов для расчета и моделирования электронных схем на ЭВМ.

Содержание и структура дисциплины (модуля)

Основы электроники: физико-технические свойства полупроводниковых материалов, основы зонной теории твердых тел; виды контактных структур и процессы в них; полупроводниковые диоды; биполярные и полевые транзисторы; полупроводниковые элементы интегральных микросхем; приборы с зарядовой связью; полупроводниковые светодиоды лазеры, приемники излучения, термисторы, варисторы, термоэлектрические приборы.

Содержание разделов дисциплины