Самостоятельное изучение разделов дисциплины. № раздела Вопросы, выносимые на самостоятельное изучение Кол-во часов Реферат: Современное состояние

Образовательные технологии

Интерактивные образовательные технологии, используемые в аудиторных занятиях

Оценочные средства для текущего контроля успеваемости и промежуточной аттестации

Контрольные вопросы для проведения текущего контроля и промежуточной аттестации по итогам освоения дисциплины, а также для контроля самостоятельной работы обучающегося по отдельным разделам дисциплины.

Раздел 1. Введение в предмет.

1. Какие вопросы рассматриваются в дисциплине «Электроника»?

2. Опишите кратко историю и этапы развития электроники.

3. Приведите классификацию устройств электроники.

4. Какие задачи решаются с применением элементов электронной техники?

5. Чем характеризуется современное состояние развития электроники?

Раздел 2. Элементы физических основ полупроводниковых приборов, контактные явления

1. Как представляется в зонной теории энергетическое состояние полупроводникового материала?

2. Чем отличаются собственные и примесные полупроводники?

3. Как формируется р-n- переход и какие переходы известны?

Раздел 3. Принципы функционирования и характеристики полупроводниковых приборов

1. Поясните принцип действия диода и приведите его вольтамперную характеристику.

2. Поясните принцип действия и приведите выходные статические характеристики n-p-n биполярного транзистора.

3. Приведите основные схемы включения транзистора.

4. Чем отличаются выходные ВАХ транзистора, включенного по схеме ОЭ и ОБ?

5. Опишите принцип действия полевого транзистора с p-n переходом.

6. Приведите сравнительный анализ схем включения биполярного транзистора.

7. Какая структура и особенности работы МОП-транзистора?

8. Приведите условно-графические обозначения всех типов МОП- транзисторов и их проходных ВАХ.

9. Какое основное отличие МОП-транзистора с индуцированным каналом от МОП-транзистора со встроенным каналом?

10. Приведите сравнительный анализ частотных и временных параметров полевых транзисторов с p-n переходом и МОП-типа.

11. Биполярный транзистор с диодом Шоттки. Объясните его преимущества в ключевых каскадах.

12. Приведите структуру тиристора и поясните принцип его действия.

13. Нарисуйте ВАХ и приведите основные параметры тиристора.

14. Какие Вы знаете особенности биполярных транзисторов в интегральных микросхемах?

15. Назовите основные элементы однокаскадного усилителя.

16. Какие режимы работы транзисторов используются в усилительной технике?

17. Сравните частотные и временные параметры полевых транзисторов с p-n переходом и МОП-типа.

18. Раскройте суть графоаналитического метода инженерного расчета рабочей точки полевого транзистора.

Раздел 4. Полупроводниковые излучатели, детекторы и датчики

1. Приведите физическую структуру полупроводникового лазера и поясните принцип его действия.

2. Что собой представляет фотодиод? Приведите его параметры.

3. Что собой представляет фототранзистор? Приведите его параметры.

4. Что собой представляет фототиристор? Приведите его параметры.

5. Как работает линейка приборов с зарядовой связью?

6. Как работает матрица приборов с зарядовой связью?

7. Каким образом происходит светоизлучение в светодиоде?

8. Что собой представляет оптоэлектронная пара? Приведите основные технические параметры этих приборов.

9. Приведите структуру и поясните принцип действия датчика Холла.

10. Что собой представляет терморезистор? Приведите его параметры.

Раздел 5. Индикаторные приборы

1. Какой принцип действия и основные параметры электронно-лучевой трубки?

2. Каким образом работает знаковый газоразрядный прибор?

3. Какой принцип действия и основные параметры вакуумного индикатора.

4. Какой принцип действия и основные параметры сегментного полупроводникого индикатора?

5. Какой принцип действия и основные параметры матричного полупроводникового индикатора?

Раздел 6. Методы и средства автоматизированного измерения параметров и характеристик

1. Приведите состав и принципы построения средств автоматизированного измерения параметров и характеристик полупроводниковых приборов

2. Что представляет собой техническое обеспечение систем автоматизированного измерения параметров и характеристик полупроводниковых приборов?

3. Как создаются математические модели объектов автоматизации средств автоматизированного измерения параметров и характеристик полупроводниковых приборов?

4. Сравните пакеты программ автоматизированного измерения параметров и характеристик полупроводниковых приборов