Тесты контроля качества усвоения дисциплины

Тест 1.Какое из приведенных утверждений правильное?

Варианты ответа:

а) электронно-дырочный переход – это слой, обедненный носителями заряда;

б) электронно-дырочный переход – это слой, обогащенный носителями заряда.

Тест 2. Какой из приведенных пробоев является необратимым?

Варианты ответа:

а) лавинный;

б) туннельный;

в) тепловой.

Тест 3. Какая схема включения биполярного транзистора обеспечивает наибольшее усиление мощности? Почему?

Варианты ответа:

а) схема с общим коллектором;

б) схема с общим эмиттером;

в) схема с общей базой.

Тест 4. Какой из приведенных униполярных транзисторов используется в основном в цифровой технике?

Варианты ответа:

а) с управляющим p-n переходом;

б) МДП структуры с индуцированным каналом;

в) МДП структуры со встроенным каналом.

Тест 5. В каком режиме работает транзисторный каскад, если рабочая точка расположена на крутом участке выходной ВАХ?

Варианты ответа:

а) ключевой; б) усилительный;

Тест 9. Какие вопросы рассматриваются в дисциплине основы электроники?

Варианты ответа:

а) схемотехнические;

б) системотехнические;

в) физико-технические и конструкторско-технологические.

Тест 10. Как представляется в зонной теории энергетическое состояние полупроводникового материала?

Варианты ответа:

а) временными диаграммами;

б) уровнями энергии;

в) зонами энергии и уровнями энергии.

Тест 11. Какой диапазон изменения удельного сопротивления характерен для полупроводниковых материалов

Варианты ответа:

а) 3 порядка;

б) 14 порядков;

в) 10 порядков.

Тест 12. Чем отличаются собственные и примесные полупроводники ?

Варианты ответа:

а) удельной проводимостью;

б) количеством электричества;

в) кристаллической структурой.

Тест 13. Как формируется р-n- переход?

Варианты ответа:

а) механическим соприкосновением двух полупроводников;

б) вжиганием одного полупроводникового материала в другой;

в) методом сплавления или дифузионным способом;

Тест 14. Чем обусловлен процесс диффузии носителей заряда в полупроводнике?

Варианты ответа:

а) средней скоростью движения носителей заряда;

б) градиентом концентрации носителей заряда ;

в) воздействием электрического поля.

Тест 15. Чем обусловлены процесс дрейфа носителей заряда в полупроводнике?

Варианты ответа:

а) воздействием электрического поля;

б) градиентом концентрации носителей заряда;

в) подвижностью носителей заряда.

Тест 16. Что представляет собой вольтамперная характеристика диода?

Варианты ответа:

а) зависимость статического сопротивления диода от напряжения на диоде;

б) зависимость тока через диод от напряжения на диоде;

в) зависимость динамического сопротивления диода от тока через диод;

Тест 17. Что представляет собой выходная вольтамперная характеристика

n-p-n биполярного транзистора, включенного по схеме «общая база»?

Варианты ответа:

а) зависимость динамического выходного сопротивления транзистора от тока коллектора;

б) зависимость базового тока от напряжения на переходе коллектор -база;

в) зависимость тока коллектора от напряжения коллектор – база.

Тест 18. Какая структура МДП-транзистора?

Варианты ответа:

а) планарная;

б) диффузионная;

в) эпитаксальная.

Тест 19. Чем отличаются микроэлектронные изделия «интегральная микросхема» и «чип»?

Варианты ответа:

а) функциональной сложностью;

б) количеством выводом;

в) ничем не отличаются ;

Тест 20. Какое основное отличие МОП-транзистора с индуцированным каналом от МОП-транзистора со встроенным каналом?

Варианты ответа:

а) длина канала ;

б)проводимость и ширина канала;

в) способ образования канала;

Тест 21. Назовите существенное преимущества биполярного транзистора с диодом Шоттки.

Варианты ответа:

а) небольшой ток коллектора в режиме насыщения;

б) высокое быстродействие при включении и выключении;

в) очень низкое напряжение насыщения.

Тест 31. Микропроцессор – это?

Варианты ответа:

а) СБИС;

б) БИС;

в) ГИС.