Оперативная память

Оперативная память (по-английски RAM - Random Access Memory, память с произвольным доступом, то есть, возможны и чтение, и запись данных в произвольные участки) также реализована на СБИС. Существуют два типа микросхем памяти: память статическая и динамическая. В первых элементарную ячейку образуют так называемые триггерные схемы. Будучи установлена входным импульсом в одно из двух возможных состояний («0» или «1»), такая схема сохраняет его до очередного импульса или до выключения питания. При считывании записанного в ячейку значения ее состояние также не изменяется. Иначе работает динамическая память: она состоит из микроскопических конденсаторов, каждый из которых может пребывать в состоянии «заряжен» (что означает двоичную единицу) или «не заряжен» (двоичный нуль). Чтобы сохранять данные в такой памяти, заряженные конденсаторы необходимо периодически «подпитывать». Поэтому динамическая ОП при прочих равных условиях существенно медленнее статического. Но зато оно менее энергоемко. Подчеркнем, что оба вида памяти хранят данные лишь при постоянном электропитании. Про такое запоминающее устройство говорят, что оно энергозависимо. Данные в этой памяти стираются после выключения или перезагрузки компьютера.

Рис. 8. Модуль оперативной памяти (ОП)

Конструктивно современная СБИС ОП представляет собой небольшую продолговатую печатную плату (рис.8) с размещенными на ней микросхемами. На современных системных платах используются в основном 168-контактные 64-разрядные модули DIMM[7]. Из скоростных характеристик памяти наибольший интерес представляет время цикла обращения для записи/чтения. Скорость доступа, приблизительно равна времени цикла, необходимому для считывания (записи) данных из (в) ОП.

У современной ОП цикл обращения находится в диапазоне сотни пикосекунд – единицы наносекунд (1 наносекунда = 10^-9с, 1 пикосекунда = 10^-12 с.).